[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质在审
申请号: | 201811055905.3 | 申请日: | 2018-09-11 |
公开(公告)号: | CN109494152A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 土屋孝文;石井佑树;益富裕之;藤津成吾 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体供给线 处理槽 基板液处理装置 气体供给部 处理液 基板 存储介质 气体喷嘴 减压部 液处理 供给气体 收容基板 减压 引入 喷出 去除 空闲 收容 | ||
1.一种基板液处理装置,具备:
处理槽,其收容处理液和基板;
气体喷嘴,其在所述处理槽内的下部喷出气体;
气体供给部,其供给所述气体;
气体供给线,其将所述气体喷嘴和所述气体供给部连接;
减压部,其通过使所述气体供给线减压来向所述气体供给线引入所述处理槽内的所述处理液;以及
控制部,其构成为在所述处理槽中没有收容所述基板的空闲期间的一部分期间执行如下的第一控制:控制所述气体供给部以停止所述气体的供给,并且控制所述减压部以向所述气体供给线引入所述处理液。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述控制部在所述空闲期间交替地重复执行所述第一控制和以下的第二控制,所述第二控制为控制所述气体供给部以进行所述气体的供给。
3.根据权利要求2所述的基板液处理装置,其特征在于,
还具备开放线,所述开放线将在所述气体供给线中流动的气体向大气开放,
所述减压部具有能够对所述开放线进行开闭的阀,通过打开该阀来使所述气体供给线减压,
所述控制部执行第三控制和第四控制来作为所述处理液被引入到所述气体供给线的状态下的所述第二控制,所述第三控制为如下控制:控制所述气体供给部以进行所述气体的供给,并且控制所述减压部以打开所述阀来使在所述气体供给线中流动的气体流入所述开放线,第四控制为如下控制:控制所述气体供给部以进行所述气体的供给,并且控制所述减压部以关闭所述阀来使在所述气体供给线中流动的气体流向所述气体喷嘴侧。
4.根据权利要求3所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述控制部执行第五控制和第六控制来作为所述第四控制,所述第五控制为如下控制:控制所述气体供给部以使被引入到所述气体供给线的所述处理液流入所述处理槽,所述第六控制为如下控制:控制所述气体供给部以使被引入到所述气体供给线的所述处理液在所述气体供给线内摇动。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板液处理装置,其特征在于,
在所述空闲期间中具有从在所述处理槽中进行针对所述基板的处理的基板处理期间转变的第一空闲期间以及从在所述处理槽中进行所述处理液的更换的处理液更换期间转变的第二空闲期间,
所述控制部控制所述减压部,以使所述第二空闲期间的所述第一控制中的所述处理液的引入量比所述第一空闲期间的所述第一控制中的所述处理液的引入量大。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述控制部于在所述处理槽中进行所述处理液的更换的处理液更换期间的至少一部分期间执行如下的高流量控制:控制所述气体供给部,以使来自所述气体喷嘴的所述气体的喷出量比在所述处理槽中进行针对所述基板的处理的基板处理期间的该喷出量多。
7.根据权利要求6所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述控制部在所述处理液更换期间中的供给新的处理液之后的清洁期间执行所述高流量控制。
8.根据权利要求7所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述控制部在所述清洁期间在开始使所述新的处理液升温的升温控制之后执行所述高流量控制。
9.根据权利要求6所述的基板液处理装置,其特征在于,
所述控制部监视所述高流量控制的执行过程中的所述气体喷嘴的压力值。
10.根据权利要求9所述的基板液处理装置,其特征在于,
在所述气体喷嘴的压力值超过规定值的情况下,所述控制部估计为所述气体喷嘴产生了堵塞,结束所述处理槽中的各种处理。
11.根据权利要求1、2、3、4、7、8、10中的任一项所述的基板液处理装置,其特征在于,
还具备摄像部,所述摄像部设置于能够拍摄所述处理槽内的所述处理液的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造