[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质在审
申请号: | 201811055905.3 | 申请日: | 2018-09-11 |
公开(公告)号: | CN109494152A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 土屋孝文;石井佑树;益富裕之;藤津成吾 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体供给线 处理槽 基板液处理装置 气体供给部 处理液 基板 存储介质 气体喷嘴 减压部 液处理 供给气体 收容基板 减压 引入 喷出 去除 空闲 收容 | ||
本发明提供一种对于抑制结晶的产生或去除结晶有效的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置具备:处理槽,其收容处理液和基板;气体喷嘴,其在处理槽内的下部喷出气体;气体供给部,其供给气体;气体供给线,其将气体喷嘴和气体供给部连接;减压部,其通过使气体供给线减压来向气体供给线引入处理槽内的处理液;以及控制部,其构成为在处理槽中没有收容基板的空闲期间的一部分期间执行如下的第一控制:控制气体供给部以停止气体的供给,并且控制减压部以向气体供给线引入处理液。
技术领域
本公开涉及一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。
背景技术
在专利文献1中公开了一种处理装置,所述处理装置具备:溢流槽;泵,其使槽内的蚀刻液(处理液)循环;加热器,其将槽内的处理液加热到固定温度;温度控制器,其控制该温度;框,其将晶圆盒固定于在槽内的底部内设置的分散板;以及鼓泡器,其利用氮来对槽内的处理液进行鼓泡。
专利文献1:日本特开平07-58078号公报
发明内容
从设置于槽的下部的气体喷嘴供给上述的用于鼓泡的氮等气体。在此,通过从气体喷嘴供给气体,在槽内产生处理液的上升流。由此,虽然容易将处理液的状态保持均匀,但在特定的场所,由于气体的流动容易产生处理液的滞留。具体地说,容易在气体喷嘴的开口部的边缘产生由于气体流的紊乱引起的处理液的滞留。因此,有时在气体喷嘴的开口部的边缘产生来自基板和各种管路的溶出成分等的结晶,并且具有该结晶成为气体喷出的障碍的风险。
因此,本公开的目的在于提供一种对于抑制结晶的产生或者去除结晶有效的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。
本公开所涉及的基板液处理装置具备:处理槽,其收容处理液和基板;气体喷嘴,其在处理槽内的下部喷出气体;气体供给部,其供给气体;气体供给线,其将气体喷嘴和气体供给部连接;减压部,其通过使气体供给线减压来向气体供给线引入处理槽内的处理液;以及控制部,其构成为在处理槽中没有收容基板的空闲期间的一部分期间执行如下的第一控制:控制气体供给部以停止气体的供给,并且控制减压部以向气体供给线引入处理液。
根据本公开,能够提供一种对于抑制结晶的产生或者去除结晶有效的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。
附图说明
图1是示意性地表示基板液处理系统的俯视图。
图2是蚀刻处理装置的示意图。
图3是表示控制部的功能性的结构的框图。
图4是基板处理过程的流程图。
图5是处理液的填充过程的流程图。
图6是基板组处理过程的流程图。
图7是液更换处理过程的流程图。
图8是空闲处理过程的流程图。
图9是第一空闲期间的第一空闲控制的流程图。
图10是第二空闲期间的第二空闲控制的流程图。
图11是基板组处理过程的说明图。
图12是液更换处理过程的说明图。
图13是第二空闲控制的说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造