[发明专利]一种倒装结构AlGaInP红光Micro-LED及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装结构AlGaInP红光Micro-LED，包括n型GaAs衬底，其特征在于：所述n型GaAs衬底背面上依次设有n-GaAs欧姆接触层(101)、n-AlGaInP扩展层(102)、DBR层(103)、n-AlInP限制层(104)、发光层(105)、p-AlInP限制层(106)、p-AlGaInP扩展层(107)、p-GaP电流扩展层(108)、p-GaP欧姆接触层(109)和p-GaP粗化键合层(110)，所述p-GaP粗化键合层(110)上设有ITO层(200)，所述ITO层上设有固化层(300)，所述固化层(300)上设有衬底(400)；所述衬底(400)使用酸、碱处理后与芯片进行键合，酸处理中的酸由H₂SO₄、双氧水构成的混合溶液，碱处理中的碱由氨水、双氧水构成的混合溶液，所述p-GaP欧姆接触层(109)正面上设有电极层(501)，所述n型GaAs衬底正面上设有第一金属层(502)，所述电极层(501)和第一金属层(502)正面设有保护层(600)和ODR层(601)，所述ODR层(601)的正面设有第二金属层(700)，所述第二金属层(700)与电极层(501)接触连接。

2.根据权利要求1所述的一种倒装结构AlGaInP红光Micro-LED，其特征在于：所述倒装结构采用倒装水平同侧电极结构AlGaInP基微发光二极管，发光面积尺寸为3～5mil，芯片厚度为60～100μm。

3.根据权利要求1所述的一种倒装结构AlGaInP红光Micro-LED，其特征在于：所述ITO层(200)的厚度为100～1000nm。

4.根据权利要求1所述的一种倒装结构AlGaInP红光Micro-LED，其特征在于：所述ODR层(601)材料为TiO₂或MgF₂或SiO₂或是TiO₂、MgF₂、SiO₂三者的组合。

5.根据权利要求1所述的一种倒装结构AlGaInP红光Micro-LED，其特征在于：所述第一金属层(502)是用电子束蒸镀的方法依次沉积金属Au、AuGe和Au层，第二金属层(700)是使用电子束蒸发方法依次沉积金属层Cr、Ti、Al、Ti和Au层。