[发明专利]一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构及方法在审
申请号: | 201811060036.3 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN109324452A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 黄华达 | 申请(专利权)人: | 东莞通华液晶有限公司 |
主分类号: | G02F1/1345 | 分类号: | G02F1/1345 |
代理公司: | 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 | 代理人: | 莫杰华 |
地址: | 523000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 走线结构 腐蚀 圆弧夹角 相交 产品可靠性 电场强度E 客户使用 夹角为 应用 | ||
1.一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:在IC Bonding的区域中,相交的两条ITO线的夹角α为180±30度。
2.根据权利要求1所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:所述相交的两条ITO线夹角为圆弧夹角,该圆弧夹角的半径R大于1mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构,其特征在于:相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。
4.一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法,其特征在于:在IC Bonding的区域中,对ITO走线按照如下规则:
1)降低两条ITO线相交的角度,保证两条ITO线的夹角α为180±30度,如果两条ITO线的夹角超过前述的范围则采用分次弯折的方式。
5.根据权利要求4所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法,其特征在于,还包括规则:2)相交的两条ITO线的夹角为圆弧夹角,并且该圆弧夹角的半径R大于1mm。
6.根据权利要求5所述的一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法,其特征在于,还包括规则:3)相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10-6V/m。
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