[发明专利]一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构及方法

说明书

本发明公开了一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构及方法，其中走线结构，为在IC Bonding的区域中，相交的两条ITO线的夹角α为180±30度；相交的两条ITO线夹角为圆弧夹角，该圆弧夹角的半径R大于1mm；相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10^‑6V/m。应用上述的走线结构实现了降低ITO腐蚀几率的ITO走线方法。本发明能够降低ITO腐蚀的比例，降低成本；提高产品可靠性，极大的降低了客户使用过程中发生失效的几率。

技术领域

本发明涉及LCD制造技术领域，特别是一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构及方法。

背景技术

ITO腐蚀是在存储条件或外加电场促进的条件下，发生电化学反应，导致的ITO电极走线腐蚀。周期有的只有数小时，有的达数月之久，主要取决于腐蚀产生的条件的强弱。

腐蚀产生的主要条件有：

1、杂质、水汽或污染；---提供电解质；

2、电荷移动；---产生电流；

为了保护LCD电极，很多厂家采用涂TOP层对产品进行主动防护，该方法有一定的效果，但相对来说成本也增高了。而实际生产中发生ITO腐蚀的区域都是集中在IC Bonding的区域，但是，因为IC与LCD之间导通的需要，该区域又不能用TOP覆盖，所以针对此种ITO腐蚀无法用TOP层覆盖ITO走线的方法来解决。

发明内容

本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种抗ITO腐蚀的LCD走线结构及方法。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种LCD显示屏的ITO走线结构，其在IC Bonding的区域中，相交的两条ITO线的夹角α为180±30度。

上述技术方案中，所述相交的两条ITO线夹角为圆弧夹角，该圆弧夹角的半径R大于1mm。

上述技术方案中，相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10^-6V/m。

一种抗ITO腐蚀的LCD走线方法，其在IC Bonding的区域中，对ITO走线按照如下规则：1）降低两条ITO线相交的角度，保证两条ITO线的夹角α为180±30度，如果两条ITO线的夹角超过前述的范围则采用分次弯折的方式。

在上述技术方案的基础上，还包括规则：2）相交的两条ITO线的夹角为圆弧夹角，并且该圆弧夹角的半径R大于1mm。

在上述技术方案的基础上，还包括规则：3）相邻的两条ITO线之间的电场强度E小于0.25×10^-6V/m。

本发明的有益效果是：

1）降低ITO腐蚀的比例，降低成本。

2）提高产品可靠性，极大的降低了客户使用过程中发生失效的几率。

附图说明

图1是本发明的LCD的走线结构示意图；

图2是图1中A处夹角的放大示意图（尖角）；

图3是图1中A处圆弧夹角的放大示意图；

图4是图1中A处线间的放大示意图；

图5是本发明分次弯折的示意图。

图中，1、ITO线；2、圆弧夹角；3、第一支线；4、第二支线；5、第三支线；6、IC Bonding的区域。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。