[发明专利]磁阻随机存取存储器件有效
| 申请号： | 201811060554.5 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109560191B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李俊明;金柱显;朴正桓;吴世忠;张荣万 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10N50/80;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 | ||
1.一种磁阻随机存取存储器件，包括：
下电极；
在所述下电极上的阻挡图案，所述阻挡图案包括处于非晶态的二元金属硼化物；
在所述阻挡图案上的籽晶图案，所述籽晶图案包括金属；
在所述籽晶图案上的磁隧道结结构；以及
在所述磁隧道结结构上的上电极，
其中所述阻挡图案的所述二元金属硼化物的第一形成能小于用于由所述籽晶图案的金属和硼形成金属硼化物的第二形成能以防止所述阻挡图案中的硼扩散到所述籽晶图案中。
2.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述阻挡图案包括钽硼化物、钛硼化物、铪硼化物、锆硼化物、钒硼化物、铌硼化物和钪硼化物中的一种。
3.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述阻挡图案包括钽硼化物。
4.如权利要求3所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述阻挡图案包括在5wt％至40wt％的范围内的量的硼。
5.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述籽晶图案包括钌、铼、铱、铑和铪中的一种。
6.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述籽晶图案包括钌。
7.如权利要求6所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述阻挡图案包括钽硼化物。
8.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述下电极包括钛氮化物、钽氮化物或钨氮化物。
9.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，还包括：
在所述阻挡图案和所述籽晶图案之间的粘附图案。
10.如权利要求9所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述粘附图案包括钽或钛。
11.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述阻挡图案的所述二元金属硼化物的第一形成能具有负值。
12.如权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述阻挡图案的所述二元金属硼化物在等于或大于400℃的温度保持非晶。
13.一种磁阻随机存取存储器件，包括：
下电极；
在所述下电极上的阻挡图案，所述阻挡图案包括通过结合第一金属和硼而形成的第一金属硼化物；
在所述阻挡图案上的籽晶图案，所述籽晶图案包括第二金属；
在所述籽晶图案上的磁隧道结结构；以及
在所述磁隧道结结构上的上电极，
其中所述第一金属硼化物的形成能小于通过结合第二金属和硼而形成的第二金属硼化物的形成能以防止所述阻挡图案中的硼扩散到所述籽晶图案中。
14.如权利要求13所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述阻挡图案处于非晶态。
15.如权利要求13所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述阻挡图案仅包括一种类型的所述第一金属。
16.如权利要求15所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述阻挡图案包括钽硼化物。
17.如权利要求13所述的磁阻随机存取存储器件，
其中所述籽晶图案包括钌。
18.如权利要求13所述的磁阻随机存取存储器件，还包括：
在所述阻挡图案和所述籽晶图案之间的粘附图案。
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