[发明专利]磁阻随机存取存储器件

说明书

本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。

技术领域

本发明构思涉及磁阻随机存取存储(MRAM)器件。

背景技术

磁隧道结(MTJ)结构可以嵌入在逻辑器件中。在逻辑器件的制造中，在MTJ结构形成在逻辑器件中之后，MTJ结构会经受用于形成布线的高温工艺。MTJ结构的特性会受下电极的结晶度影响。

发明内容

示例实施方式提供一种具有良好特性的MRAM器件。

根据示例实施方式，提供一种MRAM器件。MRAM器件可以包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并且包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。

根据示例实施方式，提供一种MRAM器件。MRAM器件可以包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并且包括通过结合第一金属和硼而形成的第一金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并且包括第二金属；MTJ结构，在籽晶图案上；以及在MTJ结构上的上电极。第一金属硼化物的形成能可以小于通过结合第二金属和硼而形成的第二金属硼化物的形成能。

根据示例实施方式，提供一种MRAM器件。MRAM器件可以包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并且包括处于非晶态的三元金属硼氮化物；籽晶图案，在阻挡图案上并且包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。

根据示例实施方式，提供一种MRAM器件。MRAM器件可以包括：在基板上的有源鳍；在有源鳍上的栅极结构；第一和第二源极/漏极层，在有源鳍的与栅极结构相邻的部分上；源极线，电连接到第一源极/漏极层；下电极，电连接到第二源极/漏极层；阻挡图案，在下电极上，该阻挡图案包括处于非晶态的二元金属硼化物；在阻挡图案上的籽晶图案，该籽晶图案包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；在MTJ结构上的上电极；以及电连接到上电极的位线。

根据示例实施方式的MRAM器件可以包括在下电极和籽晶图案之间的阻挡图案，因此，可以在高温工艺期间保持籽晶图案上的固定层图案的期望特性，例如其磁化方向。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示范性实施方式，本发明构思的这些和其它特征将变得更加明显，附图中：

图1是示出根据示例实施方式的MRAM器件的截面图；

图2是示出根据示例实施方式的制造MRAM器件的方法的截面图；

图3是示出根据示例实施方式的MRAM器件的截面图；

图4和图5是示出根据示例实施方式的MRAM器件的截面图；以及

图6至图27是示出根据示例实施方式的制造MRAM器件的方法的平面图和截面图。

具体实施方式

下面将参照附图详细描述本发明构思的示范性实施方式。然而，本发明构思可以以不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的实施方式。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的厚度。在整个说明书和附图中，相同的附图标记可以指代相同的元件。

图1是示出根据示例实施方式的MRAM器件的截面图。

参照图1，MRAM器件可以包括顺序堆叠在基板100上的下电极115、第一阻挡图案125、粘附图案135、籽晶图案145、MTJ结构185和上电极195。MTJ结构185可以包括顺序堆叠的固定层图案155、隧道势垒层图案165和自由层图案175。