[发明专利]半导体装置封装及其制造方法在审
申请号: | 201811060768.2 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN110444513A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 刘展源 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/16;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包封物 光学区 装置区 衬底 半导体装置 封装 安置 覆盖 贴片技术 制造 | ||
1.一种半导体装置封装,其包括:
衬底,其具有光学区和贴片技术(SMT)装置区;
第一包封物,其包含安置于所述光学区上且覆盖所述光学区的第一部分,以及安置于所述SMT装置区上且覆盖所述SMT装置区的第二部分;以及
第二包封物,其安置于所述衬底上,且覆盖所述第一包封物的所述第二部分的至少一部分和所述第一包封物的所述第一部分的一部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二包封物的一部分安置于所述第一包封物的所述第一部分与所述第一包封物的所述第二部分之间。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述第二包封物包含光吸收材料,且所述第二包封物的所述部分的厚度大于或等于100μm。
4.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述第二包封物的所述部分的所述厚度大于或等于1000μm。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括所述衬底上的非SMT装置区,其中所述非SMT装置区由所述第二包封物包封。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二包封物包含光吸收材料,且所述第二包封物的上表面与所述第一包封物的所述第二部分的上表面之间的距离大于或等于100μm。
7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一包封物的所述第二部分的上表面从所述第二包封物暴露。
8.一种半导体装置封装,其包括:
衬底,其在所述衬底的顶部表面上具有SMT装置区;
第一包封物,其包含安置于所述衬底的顶部表面的一部分上的第一部分,以及与第一部分隔开且覆盖所述SMT装置区的第二部分;以及
第二包封物,其使所述第一包封物的所述第一部分暴露,且包封所述第一包封物的所述第二部分的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其中所述第二包封物的一部分安置于所述第一包封物的所述第一部分与所述第一包封物的所述第二部分之间。
10.根据权利要求9所述的半导体装置封装,其中所述第二包封物包含光吸收材料,且所述第二包封物的所述部分的厚度大于或等于100μm。
11.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其中所述第二包封物的所述部分的所述厚度大于或等于1000μm。
12.一种制造半导体装置封装的方法,其包括:
(a)提供包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底,所述衬底具有所述第一表面上的第一区和所述第一表面上的第二区,所述第一区与所述第二区隔开;
(b)将焊接材料印刷在所述衬底的所述第一区上;
(c)将SMT装置安置在所述焊接材料上;以及
(d)形成第一包封物以包封所述第二区。
13.根据权利要求12所述的方法,其中操作(c)进一步包括将第一非SMT装置安置在所述第二区上。
14.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括:
(e)将第二非SMT装置安置在所述衬底的所述第一表面上;以及
(f)形成第二包封物以包封所述第二非SMT装置和所述第一包封物。
15.根据权利要求14所述的方法,其中操作(d)进一步包括去除所述第一包封物的一部分,以形成所述衬底的所述第一区与所述衬底的所述第二区之间的空间。
16.根据权利要求15所述的方法,其中操作(d)进一步包括将所述第二包封物填充到所述空间中。
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