[发明专利]Mo-Nb合金薄膜蚀刻液组合物及利用其的显示装置用基板的制造方法

说明书

本发明涉及Mo‑Nb合金薄膜蚀刻液组合物及利用其的显示装置用基板的制造方法，所述蚀刻液组合物包含：40重量％至60重量％的磷酸；5重量％至10重量％的硝酸；7重量％至30重量％的乙酸；0.1重量％至2重量％的磷酸盐；以及15重量％至30重量％的水。

技术领域

本发明涉及Mo-Nb合金薄膜蚀刻液组合物以及利用其的显示装置用基板的制造方法。

背景技术

半导体装置中，在基板上形成金属配线的过程通常包括基于如下工序的步骤：利用溅射等的金属膜形成工序；利用光致抗蚀剂涂布、曝光及显影的选择性区域中的光致抗蚀剂形成工序；以及蚀刻工序，并且包括在个别单元工序前后的清洗工序等。这样的蚀刻工序是指，使用光致抗蚀剂掩模，在选择性区域中留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用蚀刻溶液的湿式蚀刻。

这样的半导体装置中，近年来主要关注金属配线的电阻。这是因为，电阻是诱发RC信号延迟的主要因素，特别是在薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor-liquidcrystal display，TFT-LCD)的情况下，面板大小增加和高分辨率的实现逐渐成为技术开发的关键。因此，为了实现包括TFT-LCD等的显示装置的大型化中所必要的RC信号延迟的减少，必须开发低电阻物质。因此，实际情况是，以往主要使用的钼、铬、铝以及它们的合金难以用于大型TFT-LCD等显示装置中所使用的栅极和数据配线等。

在这样的背景下，作为新的低电阻金属膜，高度关注钼和钼合金膜及其蚀刻液组合物，并且对此正在积极进行研究。例如，韩国授权专利10-1057360号中公开了包含磷酸、硝酸、乙酸、添加剂、以及以使总重量为100重量％的水的蚀刻液组合物。然而，与Mo膜质相比，Mo合金的膜质的抗氧化能力更佳，因此在上述蚀刻液的情况下，因缓慢的蚀刻速度而工序速度上可能出现问题，对后续工序的收率也可能会造成影响。特别是，在Mo-Nb合金的情况下，即使在用以往Mo合金蚀刻用蚀刻液组合物进行蚀刻时，也无法良好地实现蚀刻，因而实际情况是，需要开发出适合于Mo-Nb合金蚀刻的蚀刻液组合物。

[现有技术文献]

[专利文献]

(专利文献1)：韩国授权专利10-1057360号

发明内容

技术问题

本发明的目的在于，提供一种对湿式蚀刻有效的蚀刻液，其能够调节蚀刻速度而使工序控制变得容易，不发生残渣问题，能够用于由Mo-Nb合金形成的单层膜以及以由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜形成的多层膜，此外，具有形成适宜轮廓的效果，不损伤下部膜并且显示蚀刻均匀性。

技术方案

为了实现上述目的，本发明提供一种Mo-Nb合金薄膜蚀刻液组合物，其包含40重量％至60重量％的磷酸、5重量％至10重量％的硝酸、7重量％至30重量％的乙酸、0.1重量％至2重量％的磷酸盐、以及15重量％至30重量％的水。

在一实施方式中，上述金属膜可以为钼(Mo)金属膜。

在另一实施方式中，上述钼金属膜可以为由Mo-Nb合金形成的单层膜以及以由上述单层膜和透明导电膜构成的多层膜形成的多层膜。

此外，本发明提供一种显示装置用基板的制造方法，其包括：步骤a)在基板上形成包含电极的栅极线；步骤b)层压覆盖所述栅极线的栅极绝缘膜；步骤c)在所述栅极绝缘膜上部形成半导体层；步骤d)在所述半导体层上形成具有源电极的数据线和漏电极；以及步骤e)形成与所述漏电极连接的像素电极，

其中，所述步骤a)和步骤e)中的至少一个步骤包括在所述基板上层压金属层的步骤、以及使用蚀刻液组合物进行蚀刻的步骤，