[发明专利]用于检查多个测量物体的材料属性的设备在审

专利信息
申请号: 201811066403.0 申请日: 2018-09-13
公开(公告)号: CN109507190A 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 安泰兴;金英德;朴相吉;朴峻范;岩阳一郎;田炳焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 第二测量 第一测量 光源 信号检查 配置 材料属性 测量单元 测量位置 检查单元 检查设备 选择单元 反射镜 测量 检查
【说明书】:

一种检查设备包括光源。第一测量单元被配置为接收来自光源的光并将其引导到第一测量物体。第二测量单元被配置为接收来自光源的光并将其引导到第二测量物体。检查单元被配置为接收从第一测量单元提供的第一光信号并且使用第一光信号检查第一测量物体,并且接收从第二测量单元提供的第二光信号并且使用第二光信号检查第二测量物体。测量位置选择单元被配置为通过调整反射镜的角度来交替地启用两个测量单元的检查。

本申请主张于2017年9月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2017-0117983的优先权,通过引用将该申请的公开内容全部并入本文。

技术领域

本申请涉及检查设备,更具体地,涉及用于检查多个测量物体的材料特性的设备。

背景技术

通常,通过加工(fabrication,“fab”)过程来制造半导体装置,其中包括电部件的电路在所述加工过程中被形成在硅晶片上,所述硅晶片被用作半导体基底。在加工之后,可以执行电子基片拣选(electrical die sorting,EDS)过程以检查在加工过程中形成的半导体装置的电特性。然后可以执行封装组装过程以用环氧树脂包封半导体装置中的每一个并且个体化半导体装置。

加工过程通常包括沉积过程,通过该沉积过程将薄膜形成在半导体基底上。执行化学机械抛光以使所述薄膜光滑。执行光刻过程以在薄膜上形成光阻图案。执行蚀刻过程以使用光阻图案将薄膜形成为具有电特性的图案。执行离子注入过程以将特定离子注入到半导体基底的预定区域中。执行清理过程以从半导体基底去除杂质。执行检查过程以检查其上形成有薄膜或图案的半导体基底的表面。

半导体基底的缺陷(比如残留在半导体基底上的外来物质)可能降低半导体装置的操作性能和生产率。

发明内容

一种检查设备包括产生第一光的光源。第一测量单元被配置为接收来自光源的第一光并将第一光引导到第一测量物体。第二测量单元被配置为接收来自光源的第一光并将第一光引导到与第一测量物体不同的第二测量物体。检查单元被配置为接收沿着第一光学路径从第一测量单元提供的第一光信号并使用第一光信号检查第一测量物体,并且接收沿着与第一光学路径不同的第二光学路径从第二测量单元提供的第二光信号并使用第二光信号检查第二测量物体。测量位置选择单元被配置为通过调整反射镜的角度来交替地启用所述一个光学路径和第二光学路径。

检查设备包括第一测量物体设置在其中的第一测量单元。第一测量单元包括被配置为将第一光提供到第一测量物体的第一照明单元和被配置为接收穿过第一测量物体的第一光的第一光接收单元。第二测量物体设置在其中的第二测量单元包括被配置为将第二光提供到第二测量物体的第二照明单元和被配置为接收穿过第二测量物体的第二光的第二光接收单元。检查单元被配置为接收从第一测量单元提供的第一光信号并且据此检查第一测量物体,并且接收从第二测量单元提供的第二光信号并且据此检查第二测量物体。反射镜被配置为将第一光信号或第二光信号引导到所述检查单元。控制单元被配置为控制驱动单元以调整所述反射镜的角度。

检查设备包括被配置为将光引导到第一测量物体的第一测量单元。第二测量单元被配置为将所述光引导到第二测量物体。检查单元被配置为检查第一测量物体和检查第二测量物体。测量位置选择单元被配置为通过调整反射镜的角度来交替地将来自第一测量单元的第一光信号提供到所述检查单元和将来自第二测量单元的第二光信号提供到所述检查单元。

附图说明

在结合附图进行考虑时,通过参考下文的详细描述,由于本公开的更全面的理解和其关注的许多方面变得更好理解,将更容易获得本公开的更全面的理解和其关注的许多方面。

图1是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备的简图;

图2是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于使用用于检查材料属性的设备来检查材料属性的方法的流程图;

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