[发明专利]一种浸润式曝光扫描载台装置及晶圆曝光方法

说明书

本发明涉及半导体生产领域，公开了一种浸润式曝光扫描载台装置，包括：扫描载台，设置于一浸润式曝光机装置的浸润罩的下方并供所述浸润罩的相对扫描移动；晶圆工作台，设置于所述扫描载台上，用于放置表面形成有光刻胶层的晶圆；环形缓冲圈，设置于所述扫描载台上，所述环形缓冲圈位于所述晶圆工作台的外周，所述环形缓冲圈具有供所述浸润罩下方随行的浸润液爬行的缓升斜面，使所述环形缓冲圈的高度从外边缘向内边缘逐渐增大。该浸润式曝光扫描载台装置在晶圆工作台的外周设置有环形缓冲圈，该环形缓冲圈具有供浸润液爬行的缓升斜面，从而使得浸润液平缓顺畅地与晶圆的边缘接触，有效地避免了气泡的产生，从而克服了气泡缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体生产领域，具体地涉及浸润式曝光扫描载台装置及晶圆曝光方法。

背景技术

晶圆曝光过程中可能会出现导致晶圆图案异常的气泡缺陷。气泡缺陷是由于浸润液在由与晶圆载台接触到直接与晶圆接触的过程中进入了气体而形成气泡，这些气泡在光刻过程中会附着在晶圆表面，且集中在晶圆的边缘，对晶圆光刻后的图案造成异常的影响。由于现有技术中浸润液由与晶圆载台接触到直接与晶圆接触的过程较为突兀，容易形成气泡且增加了气泡在浸润液中的不稳定性，是导致气泡缺陷的主要原因。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术存在的晶圆曝光过程中的气泡缺陷的问题，提供一种浸润式曝光扫描载台装置，该装置在晶圆工作台的外周设置有环形缓冲圈，该环形缓冲圈具有供浸润液爬行的缓升斜面，从而使得浸润液平缓顺畅地与晶圆的边缘接触，有效地避免了气泡的产生，从而克服了气泡缺陷。

为了实现上述目的，本发明的实施方式的一方面提供了一种浸润式曝光扫描载台装置，包括：

扫描载台，设置于一浸润式曝光机装置的浸润罩的下方并供所述浸润罩的相对扫描移动；

晶圆工作台，设置于所述扫描载台上，用于放置表面形成有光刻胶层的晶圆；

环形缓冲圈，设置于所述扫描载台上，所述环形缓冲圈位于所述晶圆工作台的外周，所述环形缓冲圈具有供所述浸润罩下方随行的浸润液爬行的缓升斜面，使所述环形缓冲圈的高度从外边缘向内边缘逐渐增大。

优选地，所述环形缓冲圈的内边缘的高度与所述光刻胶层的上表面高度齐平。

优选地，所述环形缓冲圈的截面呈现为两个对称的三角形，所述缓升斜面与所述环形缓冲圈的底面在其外边缘的夹角范围介于10°至30°。

优选地，所述夹角范围介于20°±2°。

优选地，所述环形缓冲圈的上表面具有邻靠所述内边缘的升高平面，用于连接所述缓升斜面。

优选地，所述缓升斜面的截面呈现为两个对称的弧形。

优选地，所述晶圆的环形侧面与所述晶圆工作台的外边缘对齐；或者，所述晶圆工作台的外边缘超出所述晶圆的环形侧面，超出的尺寸的范围为5毫米至10毫米。

优选地，所述环形缓冲圈的内边缘与所述晶圆的环形侧面具有一缝隙，所述缝隙的尺寸的范围为5毫米至10毫米。

优选地，所述环形缓冲圈在内边缘的高度范围介于2至3毫米，所述环形缓冲圈的底面由外边缘至内边缘的长度范围介于10至40毫米，所述环形缓冲圈的外边缘的直径范围介于170至200毫米。

优选地，所述晶圆工作台还包括用于引导所述晶圆下降及上升的升降销。

优选地，所述环形缓冲圈的材质为陶瓷。

本发明的实施方式的另一方面还提供了一种晶圆曝光方法，包括：

提供一浸润式曝光扫描载台装置；

装载晶圆至所述晶圆工作台上；