[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、凸立于所述衬底上分立的鳍部、在所述鳍部露出的衬底上形成的隔离层以及横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶壁和部分侧壁；

在所述鳍部侧壁上形成第一侧墙层；

刻蚀位于相邻所述鳍部的所述第一侧墙层之间的所述隔离层，形成隔离层开口；

形成所述隔离层开口的步骤中，位于所述第一侧墙层下方的所述隔离层构成顶部隔离层，在形成所述隔离层开口之后，在所述顶部隔离层中掺杂离子；

在所述第一侧墙层的侧壁和所述隔离层开口的侧壁上形成第二侧墙层；

去除所述第一侧墙层之间的部分鳍部，形成凹槽；

在所述凹槽中形成源漏掺杂层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，鳍部的材料为硅，在所述顶部隔离层中掺杂离子的步骤包括：采用离子注入的方式在所述顶部隔离层中掺杂硅。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，离子注入的工艺参数包括：注入剂量为1.0E14原子每平方厘米至1.0E18原子每平方厘米，注入能量为1Kev至30Kev，离子注入的角度为0至45度。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀位于相邻所述鳍部的所述第一侧墙层之间的所述隔离层的步骤中，刻蚀去除的所述隔离层的厚度为250至800埃米。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离层开口的步骤包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一侧墙层之间的所述隔离层，形成隔离层开口。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第一侧墙层之间的所述隔离层的工艺参数包括：甲烷流量为80至800sccm，三氟甲烷的流量为30至2000sccm，等离子体功率为100至1300W，电压为80至500V，工艺时间为4至500秒，腔室压强为10至2000mToor。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成凹槽的步骤包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一侧墙层之间的部分鳍部，形成凹槽。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述凹槽后，在所述凹槽中形成源漏掺杂层前，对所述凹槽进行预清洗。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在露出所述隔离层的鳍部侧壁上形成第一侧墙层的步骤包括：所述第一侧墙层的厚度为10至50埃米。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二侧墙层的步骤包括：所述第二侧墙层的厚度为30至100埃米。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一侧墙层的侧壁和所述隔离层开口的侧壁上形成第二侧墙层的步骤包括：

形成保形覆盖所述第一侧墙层、隔离层开口以及鳍部的第二侧墙材料层；

去除所述鳍部顶壁和隔离层开口底面的第二侧墙材料层，形成第二侧墙层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二侧墙材料层的步骤包括：采用原子层沉积或者低压化学气相沉积形成第二侧墙材料层。