[发明专利]一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法

权利要求书

1.一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

S1、将微波电路板烧结到主腔体的底部；

S2、将功率放大芯片、芯片电容与铜片载体进行共晶，获得共晶功率放大组件，并将共晶功率放大组件片烧结到微波电路板的对应位置；

S3、在微波电路板上胶结电阻及电容；

S4、将共晶功率放组件与胶结有电阻及电容的微波电路板间采用金带键合；

S5、将盖板固定到主腔体的顶部。

2.如权利要求1所述亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括如下步骤：

S11、在微波电路板正面和主腔体的外壁上贴高温保护胶带；

S12、将240℃焊膏均匀抹在微波电路板背面；

S13、用酒精棉擦拭微波电路板背面和主腔体中微波电路板烧结位置，并晾干；

S14、在焊膏的正反两面分别涂覆一层助焊剂，将贴有高温胶带的微波电路板正面置上，背面与焊膏接触；

S15、将馈电绝缘子安装至主腔体的侧壁；

S16、将装配好微波电路板及馈电绝缘子的腔体放置在(270±5)℃加热平台上烧结，待焊锡融化后，将主腔体放置在散热铝板上冷却。

3.如权利要求1所述亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，其特征在于，所述共晶功率放大组件的获取具体包括如下步骤：

S21、将金锡焊片切割成与铜片载体的尺寸一致；

S22、将准备好的金锡焊片、铜片载体和芯片放置在玻璃器皿内，用等离子清洗机进行清洗，芯片包括：功率放大器GN3537-P41及10只芯片电容；

S23、先进行功率放大芯片与铜片载体的共晶，再进行芯片电容与铜片载体的共晶，获得共晶功率放大组件。

4.如权利要求1所述亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，其特征在于，共晶功率组件的烧结方法具体如下：

在共晶功率放大组件的铜片载体背面涂覆焊锡，放置在主腔体的对应位置，将放置好共晶功率放大组件的主腔体放置在180℃加热平台上加热，至焊锡融化，将主腔体移出加热平台进行散热。

5.如权利要求1所述亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括如下步骤：

S31、在微波电路板上贴装电阻及电容；

S32、将贴有电阻及电容的主腔体放置在(100±5)℃烘箱上烘，烘时间(11～12)h，烘烤完毕后，将主腔体放置移出烘箱放置在散热块上散热，冷却至室温；

S33、使用汽相清洗机将胶结电阻及电容的主腔体进行清洗。