[发明专利]一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法

说明书

本发明适用于功率放大器制备技术领域，提供了一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，包括如下步骤：将微波电路板烧结到主腔体的底部；将功率放大芯片、芯片电容与铜片载体进行共晶，将获得的共晶功率放大组件片烧结到微波电路板的对应位置；在微波电路板上胶结电阻及电容；将共晶功率放组件与胶结有电阻及电容的微波电路板间采用金带键合；将盖板固定到主腔体的顶部。借助微电子组封装工艺技术，实现基于微波单片集成电路放大器芯片设计的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，获得的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器具有散热好、稳定性高、安装灵活、体积小、可靠性高且适用于批量生产。

技术领域

本发明属于功率放大器制备技术领域，提供了一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法。

背景技术

近年来，随着安检门和通信行业的快速发展，微波单片集成电路已成为当前发展各种安检、和通信系统的重要支柱，并广泛应用于各种先进的安检门系统、通信系统、以及各种先进战斗机的有源相控阵雷达中。随着安检技术和通信技术的飞速发展，亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器在各个领域都得到了越来越广泛的应用，比如机场安检门系统采用亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器后可使其发射出较高的功率，以提高识别的精度减少X射线对人体损伤；通信测量设备用亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器来增大发射通道功率；在亚太赫兹波段有源相控阵雷达中，亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器是TR组件的主要组成单元，脉冲功率放大器可以较好地解决信号的杂散和噪声大的问题，因此急需一种适用于批量生成的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法。

发明内容

本发明实施例提供了一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，旨在提供一种适用于批量生产的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器加工工艺。

本发明是这样实现的，一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，该方法包括如下步骤：

S1、将微波电路板烧结到主腔体的底部；

S2、将功率放大芯片、芯片电容与铜片载体进行共晶，获得共晶功率放大组件，并将共晶功率放大组件片烧结到微波电路板的对应位置；

S3、在微波电路板上胶结电阻及电容；

S4、将共晶功率放组件与胶结有电阻及电容的微波电路板间采用金带键合；

S5、将盖板固定到主腔体的顶部。

进一步的，所述步骤S1具体包括如下步骤：

S11、在微波电路板正面和主腔体的外壁上贴高温保护胶带

S12、将240℃焊膏均匀抹在微波电路板背面；

S13、用酒精棉擦拭微波电路板背面和主腔体中微波电路板烧结位置，并晾干；

S14、在焊膏的正反两面分别涂覆一层助焊剂，将贴有高温胶带的微波电路板正面置上，背面与焊膏接触；

S15、将馈电绝缘子安装至主腔体的侧壁；

S16、将装配好微波电路板及馈电绝缘子的腔体放置在(270±5)℃加热平台上烧结，待焊锡融化后，将主腔体放置在散热铝板上冷却。

进一步的，所述共晶功率放大组件的获取具体包括如下步骤：

S21、将金锡焊片切割成与铜片载体的尺寸一致；

S22、将准备好的金锡焊片、铜片载体和芯片放置在玻璃器皿内，用等离子清洗机进行清洗，芯片包括：功率放大器GN3537-P41及10只芯片电容；

S23、先进行功率放大芯片与铜片载体的共晶，再进行芯片电容与铜片载体的共晶，获得共晶功率放大组件。

进一步的，共晶功率组件的烧结方法具体如下：