[发明专利]溅射成膜装置和溅射成膜方法

权利要求书

1.一种溅射成膜装置，

该溅射成膜装置具备：

腔室；以及

一对靶单元，在该腔室内能够与被处理基板相对移动地被配置，

上述靶单元具备：靶；电极构件，从电源被供给电力；以及磁铁，在上述靶的与上述被处理基板相向的一侧的表面形成磁场，

上述溅射成膜装置使上述靶单元与被处理基板相对移动而进行成膜，

其特征在于，

为了防止来自各靶的靶粒子的飞散区域重叠，上述一对靶单元在与上述被处理基板的相对移动方向上隔着规定间隔并列地配置，

上述一对靶单元成为一体而同时移动，在利用位于相对移动方向的先头侧的靶单元形成在上述被处理基板上的第1层的膜上，利用位于后方的靶单元层叠第2层的膜，

上述磁铁具备：中心磁铁，沿相对于上述相对移动方向正交的方向延伸；周边磁铁，围绕该中心磁铁；以及磁轭板，上述周边磁铁具有与中心磁铁平行地延伸的一对直线部，

至少一方的靶单元的磁铁中的周边磁铁的相对于中心磁铁位于另一方的靶单元侧的直线部的磁化方向同与上述被处理基板的成膜面垂直相比，向另一方的靶单元侧的相反侧倾斜，

上述直线部从磁轭板呈直线状地立起，上述一对靶单元中的上述直线部的侧面彼此朝向上述被处理基板的成膜面，向间隔扩展的方向倾斜，

上述电源是双极电源，通过使极性相反的波形向一对靶单元的阴极输出，且控制占空比，能够独立地控制第1层和第2层的膜厚。

2.根据权利要求1所述的溅射成膜装置，其特征在于，

在1个扫描行程中进行基于上述一对靶单元相对于上述被处理基板的相对移动的层叠成膜。

3.根据权利要求1或2所述的溅射成膜装置，其特征在于，

在上述一对靶单元之间，设有遮蔽溅射粒子的遮蔽构件。

4.根据权利要求1或2所述的溅射成膜装置，其特征在于，

上述被处理基板形成EL器件的电极。

5.根据权利要求1或2所述的溅射成膜装置，其特征在于，

上述靶是被驱动而旋转的圆筒状构件。

6.根据权利要求1或2所述的溅射成膜装置，其特征在于，

上述靶是平板状构件。

7.一种溅射成膜方法，在腔室内具备能够与被处理基板相对移动地被配置的一对靶单元，

上述靶单元具备：靶；电极构件，从电源被供给电力；以及磁铁，在上述靶的与上述被处理基板相向的一侧的表面形成磁场，

上述溅射成膜方法使上述靶单元与被处理基板相对移动而进行成膜，

其特征在于，

上述一对靶单元成为一体而同时移动，在利用位于相对移动方向的先头侧的靶单元形成在上述被处理基板上的第1层的膜上，利用位于后方的靶单元层叠第2层的膜，

上述磁铁具备：中心磁铁，沿相对于上述相对移动方向正交的方向延伸；周边磁铁，围绕该中心磁铁；以及磁轭板，上述周边磁铁具有与中心磁铁平行地延伸的一对直线部，

至少一方的靶单元的磁铁中的周边磁铁的相对于中心磁铁位于另一方的靶单元侧的直线部的磁化方向同与上述被处理基板的成膜面垂直相比，向另一方的靶单元侧的相反侧倾斜，

上述直线部从磁轭板呈直线状地立起，上述一对靶单元中的上述直线部的侧面彼此朝向上述被处理基板的成膜面，向间隔扩展的方向倾斜，

上述电源是双极电源，对上述一对靶单元的电极构件输出极性相反的波形，且控制占空比，独立地控制第1层和第2层的膜厚。