[发明专利]绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置

说明书

本发明涉及绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置。能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性。绝缘性树脂基板的清洗方法包括：第一清洗工序，在所述第一清洗工序中，在第一气体的气氛下清洗绝缘性树脂基板的表面；及第二清洗工序，在所述第一清洗工序之后，在所述第二清洗工序中，在第二气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的所述表面。在此，所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，所述第二气体是产生化学清洗作用的气体。

技术领域

本发明涉及绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置。

背景技术

在半导体器件的成膜装置中，有时在成膜处理之前利用离子束或等离子体进行基板表面的清洗处理。在这种清洗处理中，根据其目的选择气氛气体。例如，在专利文献1中公开了：为了进行有机类材料膜的除去处理而使用氩气与氧气的混合气体(Ar+O₂)，另外，为了得到较高的灰化率(ashing rate)，优选将氩气与氧气的比率设定为97％：3％。作为用于高分子碎片的清洗处理的气氛气体，在专利文献2中公开了氧气与氮气的混合气体(O₂+N₂)、氢气与氩气的混合气体(H₂+Ar)、氩气与氮气的混合气体(Ar+N₂)、氧气与氩气的混合气体(O₂+Ar)。另外，在专利文献3中公开了：在由电极膜/钙钛(perovskite)层/电极膜构成的层叠体的干蚀刻处理中，使用氩气、氧气及氯气的混合气体(Ar+O₂+Cl₂)、氩气与氧气的混合气体(Ar+O₂)。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2006-278748号公报

专利文献2：日本特开2003-059902号公报

专利文献3：日本特开2006-019729号公报

发明要解决的课题

氩气等稀有气体的气氛下的清洗处理具有能够得到由物理清洗作用(蚀刻)带来的较高的清洗效果这样的优点。然而，稀有气体的气氛下的清洗处理不适合于由聚酰亚胺等绝缘性树脂材料构成的基板。这是因为，由于高能量的离子的碰撞，有时会失去基板表面的绝缘性。另一方面，氧气等气氛下的清洗处理是与基板的有机物反应并进行化学清洗的处理，虽然具有不损害基板表面的绝缘性这样的优点，但是存在清洗效果较低这样的缺点。

发明内容

本发明鉴于上述实际情况而作出，其目的在于提供一种能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性的技术。

用于解决课题的手段

本发明的第一技术方案提供一种绝缘性树脂基板的清洗方法，其特征在于，包括：第一清洗工序，在所述第一清洗工序中，在第一气体的气氛下清洗绝缘性树脂基板的表面；及第二清洗工序，在所述第一清洗工序之后，在所述第二清洗工序中，在第二气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的所述表面，所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，所述第二气体是产生化学清洗作用的气体。

根据该方法，通过首先实施第一清洗工序，从而能够得到由物理清洗作用带来的较高的清洗效果。在此，虽然有时会由于第一清洗工序而失去绝缘性树脂基板的表面的绝缘性，但通过在第一清洗工序之后实施第二清洗工序，从而能够利用其化学作用使基板表面的绝缘性恢复。因此，能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性。