[发明专利]标准对准图案修改方法及具有修改图案的半导体装置在审
| 申请号： | 201811075274.1 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN110911385A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;刘兵 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 标准 对准 图案 修改 方法 具有 半导体 装置 | ||
1.一种标准对准图案修改方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底形成第一对准图案，所述第一对准图案包括至少突出于所述半导体衬底表面的突出图形；
在所述半导体衬底上形成第一光掩膜层，所述第一光掩膜层填充于所述突出图形之间并延伸覆盖所述突出图形，所述第一光掩膜层包括正型光刻胶；
在所述第一光掩膜层中形成第一光掩膜图案；
以所述第一光掩膜图案为掩膜，通过刻蚀工艺将所述第一对准图案修改成第二对准图案，所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。
2.根据权利要求1所述的标准对准图案修改方法，其特征在于，所述第二对准图案还包括位于所述中间图形两侧的侧边图形。
3.根据权利要求1所述的标准对准图案修改方法，其特征在于，所述第二对准图案完全对准形成于所述第一对准图案中。
4.根据权利要求1所述的标准对准图案修改方法，其特征在于，在所述半导体衬底形成第一对准图案的步骤包括：
在所述半导体衬底上形成第二光掩膜层；
以标准掩膜板为掩膜，通过曝光光刻工艺在所述第二光掩膜层中形成第二光掩膜图案；
以所述第二光掩膜图案为掩膜，通过刻蚀工艺在所述半导体衬底形成所述第一对准图案。
5.根据权利要求1所述的标准对准图案修改方法，其特征在于，在所述第一光掩膜层中形成第一光掩膜图案的步骤包括：
以修改掩膜板为掩膜，通过曝光光刻工艺在所述第一光掩模层中形成所述第一光掩膜图案。
6.根据权利要求1所述的标准对准图案修改方法，其特征在于，所述第二对准图案的中间线对准重叠于所述第一对准图案的中间线。
7.根据权利要求1-6中任一权利要求所述的标准对准图案修改方法，其特征在于，所述第一光掩膜图案包括至少凹入所述第一光掩模层的第一掩膜槽孔。
8.一种具有修改图案的半导体装置，其特征在于，包括：
半导体衬底；
第一对准图案的突出图形，突出于所述半导体衬底的表面；
第二对准图案，对准形成于所述第一对准图案中，所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第二对准图案还包括位于所述中间图形两侧的侧边图形。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第二对准图案完全对准形成于所述第一对准图案中。
11.根据权利要求8-10中任一权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第二对准图案的中间线对准重叠于所述第一对准图案的中间线。
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