[发明专利]标准对准图案修改方法及具有修改图案的半导体装置

说明书

本申请公开了一种标准对准图案修改方法及具有修改图案的半导体装置，本申请提供的标准对准图案修改方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底形成第一对准图案，所述第一对准图案包括至少突出于所述半导体衬底表面的突出图形；在所述半导体衬底上形成第一光掩膜层，所述第一光掩膜层填充于所述突出图形之间并延伸覆盖所述突出图形，所述第一光掩膜层包括正型光刻胶；在所述第一光掩膜层中形成第一光掩膜图案；以所述第一光掩膜图案为掩膜，通过刻蚀工艺将所述第一对准图案修改成第二对准图案，所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造领域，具体地，涉及一种标准对准图案修改方法及一种具有修改图案的半导体装置。

背景技术

随着半导体制造工艺的不断发展，电路设计越来越复杂、特征尺寸越来越小，芯片的集成度越来越高。这对半导体制造工艺提出了越来越严格的要求，因此必须在工艺过程中尽可能地减小每个步骤的误差，降低因误差造成的器件失效。光刻是半导体制造过程中一道重要的工序，而影响光刻工艺误差的因素除了光刻机的分辨率之外，还有光刻机的对准精确度。可以采用标准掩膜板来进行光刻机的对准，将标准掩膜板上的标准对准图案转印至衬底上供光刻机对准使用，以提高光刻机的对准精确度。

由于标准对准图案与标准掩膜板相互对应，如果需要采用另一种标准对准图案，则需要更换与之对应的标准掩膜板，而标准掩膜板是半导体制造过程中造价最高的一部分，所以更换新的标准掩膜板需要耗费大量的资金，增加了制造成本。

发明内容

本申请的目的是提供一种标准对准图案修改方法及一种具有修改图案的半导体装置，该制作方法能够在已有标准对准图案的基础上，通过修改掩膜板将标准对准图案修改成需要的对准图案，减少更换标准掩膜板的费用，降低制造成本。

为了实现上述目的，在本申请的第一方面，提供一种标准对准图案修改方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底形成第一对准图案，所述第一对准图案包括至少突出于所述半导体衬底表面的突出图形；在所述半导体衬底上形成第一光掩膜层，所述第一光掩膜层填充于所述突出图形之间并延伸覆盖所述突出图形，所述第一光掩膜层包括正型光刻胶；在所述第一光掩膜层中形成第一光掩膜图案；以所述第一光掩膜图案为掩膜，通过刻蚀工艺将所述第一对准图案修改成第二对准图案，所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。

可选地，所述第二对准图案还包括位于所述中间图形两侧的侧边图形。

可选地，所述第二对准图案完全对准形成于所述第一对准图案中。

可选地，在所述半导体衬底形成第一对准图案的步骤包括：在所述半导体衬底上形成第二光掩膜层；以标准掩膜板为掩膜，通过曝光光刻工艺在所述第二光掩膜层中形成第二光掩膜图案；以所述第二光掩膜图案为掩膜，通过刻蚀工艺在所述半导体衬底形成所述第一对准图案。

可选地，在所述第一光掩膜层中形成第一光掩膜图案的步骤包括：以修改掩膜板为掩膜，通过曝光光刻工艺在所述第一光掩模层中形成所述第一光掩膜图案。

可选地，所述第二对准图案的中间线对准重叠于所述第一对准图案的中间线。

可选地，所述第一光掩膜图案包括至少凹入所述第一光掩模层的第一掩膜槽孔。

本申请第二方面提供一种具有修改图案的半导体装置，包括：半导体衬底；第一对准图案的突出图形，突出于所述半导体衬底的表面；第二对准图案，对准形成于所述第一对准图案中，所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。

可选地，所述第二对准图案还包括位于所述中间图形两侧的侧边图形。

可选地，所述第二对准图案完全对准形成于所述第一对准图案中。

可选地，所述第二对准图案的中间线对准重叠于所述第一对准图案的中间线。