[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201811078301.0 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN110061010B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 乐瑞仁;李冠锋;刘敏钻;吴湲琳 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/33 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 喻颖 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
一基板,具有一第一表面和与所述第一表面相对的一第二表面,其中,所述基板具有一由t表示的厚度及一由WS表示的宽度;
一显示层,设置于该第一表面上且定义出一显示区域;
一第一穿孔穿透所述基板,其中,所述第一穿孔于所述第一表面上具有一由A1’表示的第一面积,且所述第一穿孔于所述第二表面上具有一由A1表示的第二面积;以及
一第二穿孔穿透所述基板,其中,所述第二穿孔于所述第一表面上具有一由A2’表示的第三面积,且所述第二穿孔于所述第二表面上具有一由A2表示的第四面积,且所述第一穿孔与所述第二穿孔之间的距离以d表示;
其中,所述厚度t、所述宽度WS、所述第一面积A1’、所述第二面积A1、所述第三面积A2’、所述第四面积A2,以及所述距离d的数值符合下式(I):
其中,A1’、A1、A2’和A2以μm2作为单位,t和WS以μm作为单位,且N大于0且小于1E6;
其中至少一部分的该第一穿孔及至少一部分的该第二穿孔位于该显示区域。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一面积A1’与所述第二面积A1的平均值定义为一第一平均值,所述第三面积A2’与所述第四面积A2的平均值定义为一第二平均值,且当所述第一平均值和所述第二平均值的至少一者大于3μm2且小于1E4μm2时,N等于9E2。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一面积A1’与所述第二面积A1的平均值定义为一第一平均值,所述第三面积A2’与所述第四面积A2的平均值定义为一第二平均值,且当所述第一平均值和所述第二平均值的至少一者大于或等于1E4μm2且小于1E6μm2时,N等于9E3。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一面积A1’与所述第二面积A1的平均值定义为一第一平均值,所述第三面积A2’与所述第四面积A2的平均值定义为一第二平均值,且当所述第一平均值和所述第二平均值的至少一者大于或等于1E6μm2且小于1E7μm2时,N等于9E4。
5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一面积A1’与所述第二面积A1的平均值定义为一第一平均值,所述第三面积A2’与所述第四面积A2的平均值定义为一第二平均值,且当所述第一平均值和所述第二平均值的至少一者大于或等于1E7μm2且小于6.4E7μm2时,N等于9E5。
6.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述基板更具有相对的一第一边缘及一第二边缘,所述第一穿孔邻近所述第一边缘,所述第一边缘与所述第一穿孔的一第一侧壁之间的一第一最小距离由d’所表示,所述第二穿孔邻近于所述第二边缘,且所述第二边缘与所述第二穿孔的一第二侧壁之间的一第二最小距离由d”所表示,
其中,所述第一最小距离d’、所述第二最小距离d”、所述厚度t、所述第一面积A1’、所述第二面积A1、所述第三面积A2’以及所述第四面积A2的数值符合下式(II)和(III):
其中,d’和d”以μm作为单位。
7.根据权利要求6所述的电子装置,其特征在于,所述宽度WS、所述第一最小距离d’、所述第二最小距离d”以及所述距离d的数值符合下式(IV):
8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述电子装置还包括一第一电子单元,且所述显示层和所述第一电子单元设置于所述基板的相对两侧,其中,所述显示层具有一第二信号传递信道,且所述第一穿孔设置于所述第一电子单元与所述第二信号传递信道之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811078301.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的