[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201811078301.0 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN110061010B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 乐瑞仁;李冠锋;刘敏钻;吴湲琳 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/33 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 喻颖 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
一种电子装置,包括:一基板,具有一第一表面和与所述第一表面相对的一第二表面,其中,所述基板具有一厚度t及一宽度WS;一第一穿孔穿透所述基板,其中,所述第一穿孔于所述第一表面上具有一第一面积A1’,且所述第一穿孔于所述第二表面上具有一第二面积A1;以及一第二穿孔穿透所述基板,其中,所述第二穿孔于所述第一表面上具有一第三面积A2’,且所述第二穿孔于所述第二表面上具有一第四面积A2,且所述第一穿孔与所述第二穿孔之间的距离为d,其中,数值t、WS、A1’、A1、A2’、A2,以及d符合下式(I):其中,N大于0且小于1E6。
技术领域
本发明属于电子技术领域,具体涉及一种电子装置。
背景技术
随着电子装置相关技术的日益进步,现今所有电子装置皆朝向轻薄、短小的方向发展。例如薄膜显示设备为市场上的主流显示设备。尽管市场上已有短小、轻薄的电子显示设备,但仍需不断开发,例如在显示设备中,周边区的电路排列仍需优化,以达到形成具有窄边框的显示设备的目的。
发明内容
本发明提供一种电子装置,其包括:一基板,具有一第一表面和与所述第一表面相对的一第二表面,其中,所述基板具有一由t表示的厚度及一由WS表示的宽度;一第一穿孔穿透所述基板,其中,所述第一穿孔于所述第一表面上具有一由A1’表示的第一面积,且所述第一穿孔于所述第二表面上具有一由A1表示的第二面积;以及一第二穿孔穿透所述基板,其中,所述第二穿孔于所述第一表面上具有一由A2’表示的第三面积,且所述第二穿孔于所述第二表面上具有一由A2表示的第四面积,且所述第一穿孔与所述第二穿孔之间的距离以d表示,其中,所述厚度t、所述宽度WS、所述第一面积A1’、所述第二面积A1、所述第三面积A2’、所述第四面积A2,以及所述距离d的数值符合下式(I):
其中,A1’、A1、A2’和A2以μm2作为单位,t和WS为以μm作为单位,且N大于0且小于1E6。
从以下结合附图的详细描述中,本发明的其他新颖特征将变得更加清楚。
附图说明
图1为本发明实施例1中电子装置的剖面图;
图2为本发明实施例1中电子装置的俯视图;
图3A为本发明实施例1中第一穿孔与第二穿孔之间的关系示意图;
图3B为本发明一实施例中第一穿孔与第二穿孔之间的关系示意图;
图3C为本发明一实施例中第一穿孔与第二穿孔之间的关系示意图;
图3D为本发明一实施例中第一穿孔与第二穿孔之间的关系示意图;
图4为本发明实施例2中电子装置的剖面图;
图5为本发明实施例2中电子装置的俯视图;
图6为本发明实施例3中电子装置的剖面图;
图7为本发明实施例4中电子装置的剖面图;
图8为本发明实施例5中电子装置的剖面图;
图9为本发明实施例6中电子装置的剖面图;
图10A为本发明一实施例中倒梯形穿孔的剖面图;
图10B为本发明一实施例中哑铃形穿孔的剖面图;
图10C为本发明一实施例中漏斗形穿孔的剖面图;
【附图标记说明】
11-基板; 11a-第一表面;
11b-第二表面; 11c-边缘;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811078301.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的