[发明专利]远程等离子源的调整装置及远程等离子源清洗系统

说明书

本发明提供一种远程等离子源的调整装置，设置在远程等离子源与反应腔室之间；调整装置包括固定支架和至少三个调整组件，其中，固定支架设置在反应腔室的顶部；每个调整组件分别与远程等离子源和固定支架连接，并且每个调整组件用于调节远程等离子源与该调整组件连接位置处的高度。本发明提供的远程等离子源的调整装置能够将远程等离子源调整至水平位置，使密封圈压缩量均匀，避免清洗气体泄漏，且便于对远程等离子源的维护。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备技术领域，具体地，涉及一种远程等离子源的调整装置及远程等离子源的清洗系统。

背景技术

原子层沉积(ALD)工艺属于化学气相沉积(CVD)工艺的一种，其通过多种反应前驱物(Precursor)与衬底在反应腔室中的化学反应，在衬底表面生成所要制备的薄膜的单分子层，在该工艺中，反应产物会沉积在反应腔室的内衬的表面，这些沉积物会在制备的薄膜上产生颗粒，降低薄膜的质量。通常采用远程等离子源(RPS)对沉积物进行清除，远程等离子源与反应腔室的上盖(Chamber Lid)之间设置有依次连接的多段进气管，以将清洗气体通入反应腔室中，相邻的进气管通过法兰连接(KF法兰形式)，且相邻的进气管之间设置有密封圈(Oring)。

现有技术中，在清洗工艺前，首先要对反应腔室抽真空，在抽真空之前，远程等离子源由依次连接的多段进气管支撑，在抽真空的过程中，远程等离子源会对进气管产生下压力，密封圈被压缩，使得远程等离子源在抽真空之后相对于抽真空之前有所下降，待远程等离子源稳定之后，通过手动调平远程等离子源，随后将远程等离子源与设置在反应腔室的上盖上的支架通过螺钉紧固，使远程等离子源由支架支撑。

在远程等离子源下降的过程中，由于进气管路对远程等离子源的支撑并不稳定，远程等离子源的重心可能会发生偏移，需要手动扶持远程等离子源，将远程等离子源扶正，才可以对远程等离子源紧固，但是，手动调平远程等离子源，仍会使远程等离子源水平度差，导致密封圈压缩量不均匀，发生清洗气体泄漏，且远程等离子源的安装和维护不方便。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种远程等离子源的调整装置及远程等离子源的清洗系统，其能够将远程等离子源调整至水平位置，使密封圈压缩量均匀，避免清洗气体泄漏，且便于对远程等离子源的维护。

为实现本发明的目的而提供一种远程等离子源的调整装置，设置在所述远程等离子源与反应腔室之间；所述调整装置包括：

固定支架，设置在所述反应腔室的顶部；

至少三个调整组件，每个调整组件分别与所述远程等离子源和所述固定支架连接，并且每个调整组件用于调节所述远程等离子源与该调整组件连接位置处的高度。

优选的，每个调整组件包括调整杆和连接件，其中，

所述连接件与所述远程等离子源连接；

所述调整杆竖直设置，且与所述连接件螺纹连接，并且所述调整杆与所述固定支架连接，在所述调整杆上设置有限位结构，所述限位结构用于限制所述调整杆相对于所述固定支架沿竖直方向移动，并允许所述调整杆绕自身轴线转动。

优选的，所述固定支架包括第一通孔，所述调整杆穿过所述第一通孔；所述限位结构包括设置在所述调整杆的外周壁上的第一限位件，所述第一限位件位于所述第一通孔的上方，且所述第一限位件能止挡在所述第一通孔的上端面。

优选的，所述限位结构还包括设置在所述调整杆的外周壁上的第二限位件，所述第二限位件位于所述第一通孔的下方，且所述第二限位件能止挡在所述第一通孔的下端面。

优选的，所述固定支架包括支架本体，在所述支架本体的侧壁上设置有凸台，在所述凸台中设置有所述第一通孔，且在所述凸台的侧壁上设置有与所述第一通孔连通的开口槽，用以使所述调整杆能够从所述开口槽安装至所述第一通孔中。