[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供基板，并在所述基板上形成有源层；

在所述基板以及所述有源层上形成金属层；

对所述金属层进行处理，同步形成源电极、漏电极以及金属氧化物层，所述金属氧化物层覆盖所述源电极、所述漏电极和所述有源层，所述金属氧化物层将所述源电极和所述漏电极相互绝缘；

其中，所述金属氧化物层采用的金属与所述源电极和所述漏电极采用的金属相同。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层的步骤，包括：

对所述有源层上的金属层进行刻蚀，刻蚀深度小于第一厚度，所述第一厚度为所述金属层的厚度；

对刻蚀后的金属层进行氧化处理，形成所述源电极、所述漏电极以及所述金属氧化物层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述有源层上的金属层进行刻蚀的步骤，包括：

对所述有源层上预设区域内的金属层进行刻蚀，所述预设区域在所述基板上的正投影位于所述有源层在所述基板上的正投影范围内。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有源层上金属氧化物层的厚度小于所述第一厚度。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供基板，并在所述基板上形成有源层的步骤，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成栅极和栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧形成有源层。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

基板以及设置在所述基板上的有源层；

设置在所述基板以及所述有源层上的源电极和漏电极，所述源电极、所述漏电极和所述有源层上覆盖有金属氧化物层；

其中，所述金属氧化物层的材料为所述源电极和所述漏电极金属的氧化物，所述金属氧化物层将所述源电极和所述漏电极相互绝缘；

所述金属氧化物层采用的金属与所述源电极和所述漏电极采用的金属相同。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板包括衬底以及设置在所述衬底上的栅极和栅极绝缘层；

所述有源层设置在所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求6至7任一项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8所述的阵列基板。