[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，其中薄膜晶体管的制备方法包括：提供基板，并在基板上形成有源层；在基板以及有源层上形成金属层；对金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层，金属氧化物层覆盖源电极、漏电极和有源层，金属氧化物层将源电极和漏电极相互绝缘。通过对金属层进行处理从而同步形成源、漏电极和金属氧化物层，金属氧化物层既可以防止有源层在后续刻蚀工艺中被刻蚀液损伤，还可以防止外界的水氧对有源层造成损伤，因此，金属氧化物层的制备可以取代现有的刻蚀阻挡层和钝化层的制备，也就是无需再通过PECVD设备分步形成刻蚀阻挡层和钝化层，从而简化制备工艺、降低成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

随着显示产品的不断发展与应用，对阵列基板的设计与工艺要求也逐步提高。由于薄膜晶体管有源层的材料极容易被酸性或者碱性的刻蚀液损伤，这就需要在有源层上沉积一层刻蚀阻挡层，防止后续刻蚀工艺中的刻蚀液对有源层造成损伤。另外，为了保证TFT器件的稳定性，防止外界的水氧对有源层造成损伤，还要在源电极和漏电极制作完成后沉积一层钝化层。

现有的刻蚀阻挡层和钝化层是分别通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备形成，工艺相对比较复杂且设备运行成本高。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，以简化工艺、降低成本。

为了解决上述问题，本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括：

提供基板，并在所述基板上形成有源层；

在所述基板以及所述有源层上形成金属层；

对所述金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层，所述金属氧化物层覆盖所述源电极、所述漏电极和所述有源层，所述金属氧化物层将所述源电极和所述漏电极相互绝缘。

可选地，所述对所述金属层进行处理，形成源电极、漏电极以及金属氧化物层的步骤，包括：

对所述有源层上的金属层进行刻蚀，刻蚀深度小于第一厚度，所述第一厚度为所述金属层的厚度；

对刻蚀后的金属层进行氧化处理，形成所述源电极、所述漏电极以及所述金属氧化物层。

可选地，对所述有源层上的金属层进行刻蚀的步骤，包括：

对所述有源层上预设区域内的金属层进行刻蚀，所述预设区域在所述基板上的正投影位于所述有源层在所述基板上的正投影范围内。

可选地，所述有源层上金属氧化物层的厚度小于所述第一厚度。

可选地，所述提供基板，并在所述基板上形成有源层的步骤，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成栅极和栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧形成有源层。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

基板以及设置在所述基板上的有源层；

设置在所述基板以及所述有源层上的源电极和漏电极，所述源电极、所述漏电极和所述有源层上覆盖有金属氧化物层；

其中，所述金属氧化物层的材料为所述源电极和所述漏电极金属的氧化物，所述金属氧化物层将所述源电极和所述漏电极相互绝缘。

可选地，所述基板包括衬底以及设置在所述衬底上的栅极和栅极绝缘层；

所述有源层设置在所述栅极绝缘层背离所述衬底的一侧。