[发明专利]深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件

权利要求书

1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括：

步骤1、向反应腔室内输入沉积气体，启辉进行沉积，沉积时间为t_起始；

步骤2、停止输入沉积气体，开始通入刻蚀气体，以下电极功率P_起始进行物理轰击；

步骤3、持续通入刻蚀气体，对基片进行化学刻蚀，在刻蚀时间t_刻蚀后停止通入刻蚀气体；

步骤4、判断当前循环次数是否达到总循环次数，是则结束工艺，否则循环执行所述步骤1至所述步骤3，其中，在循环次数达到初始循环次数之后，在执行所述步骤1时，将当前沉积时间在上一次执行的沉积时间的基础上增大，和在执行所述步骤2时，将当前下电极功率在上一次执行的下电极功率的基础上增大；在执行所述步骤3时，保持刻蚀时间不变；

其中，所述步骤4中，在所述循环次数达到所述初始循环次数之后，所述步骤1的沉积时间自3.5s逐步增加至6s。

2.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述步骤4中，

在循环次数达到初始循环次数之后，在执行所述步骤1时，将当前沉积时间在上一次执行的沉积时间的基础上增大第一预设值，和在执行所述步骤2时，将当前下电极功率在上一次执行的下电极功率的基础上增大第二预设值；

其中，所述第一预设值根据所述沉积时间t_起始、预设终止沉积时间t_终止以及预设总循环次数n_总之间的预设关系式计算获得；

所述第二预设值根据所述下电极功率P_起始、预设终止下电极功率P_终止以及预设总循环次数n_总之间的预设关系式计算获得。

3.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述步骤2中，所述下电极功率P_起始不小于100W。

4.根据权利要求3所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述步骤4中，在所述循环次数达到所述初始循环次数之后，所述步骤2的下电极功率自100W逐步增加至120W。

5.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述步骤2的执行时间不大于2s。

6.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中的刻蚀时间t_刻蚀在1s～5s之间。

7.一种深硅槽结构，其特征在于，利用如权利要求1-6中任意一项所述的深硅刻蚀方法进行刻蚀。

8.一种半导体器件，其特征在于，包含如权利要求7所述的深硅槽结构。