[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内形成有焊垫，且所述基底露出所述焊垫，所述基底上形成有再分布层，所述再分布层与所述焊垫电连接且露出部分所述焊垫；

在所述再分布层和焊垫中的一个或两个的顶部上形成绝缘层；

在所述基底上形成覆盖所述再分布层、绝缘层和焊垫的介电层；

图形化所述介电层，在所述再分布层部分顶部上方的介电层内、以及所述焊垫部分顶部上方的介电层内形成贯穿所述介电层的第一开口。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述再分布层和焊垫中顶部待形成所述绝缘层的为待处理层，形成所述绝缘层的步骤包括：对所述待处理层表面进行预处理，将部分厚度的所述待处理层转化为所述绝缘层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述待处理层表面进行预处理的步骤包括：对所述待处理层表面进行氧化处理，将部分厚度的待处理层转化为氧化层；

在所述氧化处理后，在含氮氛围下，对所述氧化层进行等离子体处理，将所述氧化层转化为氮化层，所述氮化层用于作为所述绝缘层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的步骤包括：在常压下，对所述待处理层进行烘焙处理。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述烘焙处理的参数包括：工艺温度为120摄氏度至150摄氏度，工艺时间为120秒至300秒。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理的参数包括：反应气体为N₂、N₂O或NH₃，射频功率为100瓦特至1000瓦特，工艺温度为25摄氏度至40摄氏度，工艺时间为120秒至240秒，工艺压强为150毫托至1000毫托。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氮化铜或氮化铝。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为至

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成覆盖所述再分布层、绝缘层和焊垫的介电层的步骤中，所述介电层的材料为光敏材料；

图形化所述介电层的工艺为光刻工艺。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电层的材料为光敏聚酰亚胺、光敏苯并环丁烯或光敏聚苯并噁唑。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述焊垫的材料为金属材料，所述再分布层的材料为金属材料，且所述焊垫的材料和所述再分布层的材料不同。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述焊垫的材料为铝、铜或金，所述再分布层的材料为铝、铜或金。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述焊垫的材料为铝，所述再分布层的材料为铜；

形成所述绝缘层的步骤中，所述绝缘层位于所述再分布层顶部。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述介电层后，还包括：去除所述第一开口露出的绝缘层，在所述绝缘层内形成第二开口；

在所述第一开口和第二开口内形成电连接结构，所述电连接结构与所述再分布层和所述焊垫实现电连接。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一开口露出的绝缘层的步骤包括：采用惰性气体，对所述第一开口露出的绝缘层进行等离子体溅射。