[发明专利]一种通用封装的功率装置在审
申请号: | 201811088479.3 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109217636A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 王新国;单亮;庄朝晖;牛培路;孙立志;张煜;沈唐斌 | 申请(专利权)人: | 上海蔚来汽车有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M7/00 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陈超 |
地址: | 201804 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜电容 功率装置 封装 通用 驱动控制组件 薄膜芯子 功率输出 散热组件 数值设定 芯片裸片 连接位 屏蔽板 预设 功率输出要求 模块化设计 通用标准 并联 生产成本 重复 开发 | ||
1.一种通用封装的功率装置,其特征在于,包括:薄膜电容(1)、IGBT模组(2)、散热组件(3)、驱动控制组件(4)和屏蔽板(5);
所述薄膜电容(1)和/或所述IGBT模组(2)采用通用封装,所述薄膜电容(1)和/或所述IGBT模组(2)的外形的尺寸为预设值;
与所述薄膜电容(1)和/或所述IGBT模组(2)组合使用的所述散热组件(3)、所述驱动控制组件(4)和所述屏蔽板(5)的外形的尺寸为预设值;
所述薄膜电容(1)内设置有多个并联的薄膜芯子(11)连接位,依据所述功率装置的功率输出数值设定所述薄膜芯子(11)的数量或大小;
所述IGBT模组(2)内设置有多个芯片裸片(21)连接位,依据所述功率装置的功率输出数值设定所述芯片裸片(21)的数量或大小。
2.根据权利要求1所述的功率装置,其特征在于,
所述IGBT模组(2)设置于所述散热组件(3)的上方,且与所述散热组件(3)固定连接;
所述散热组件(3)和IGBT模组(2)均设置于所述薄膜电容(1)的一侧;
所述薄膜电容(1)分别与所述IGBT模组(2)和散热组件(3)连接。
3.根据权利要求1所述的功率装置,其特征在于,
所述薄膜电容(1)的一侧设置有输出铜排(12),所述输出铜排(12)上设置有至少一个第一输出端口(13);
所述IGBT模组(2)一侧设置有至少一个第二输入端口(22),另一侧设置有与所述第二输入端口(22)一一对应的第二输出端口(23);
所述第一输出端口(13)与第二输入端口(22)一一对应连接。
4.根据权利要求1所述的功率装置,其特征在于,
所述IGBT模组(2)包括一个或多个IGBT模块,所述IGBT模块相对的两侧分别设置有所述第二输入端口(22)和所述第二输出端口(23);
所述第二输入端口(22)均位于所述IGBT模组(2)的一侧,所述第二输出端口(23)均位于所述IGBT模组(2)上与所述第二输入端口(22)侧相对的一侧。
5.根据权利要求3所述的功率装置,其特征在于,
所述第一输出端口(13)为第一叠层端子,所述第一叠层端子包括均为片状结构的第一正极端子(1341)和设置于所述第一正极端子(131)上方的第一负极端子(132);所述第一正极端子(131)水平方向的长度长于所述第一负极端子(132)水平方向的长度;所述第一正极端子(131)和第一负极端子(132)在竖直方向重叠设置,所述第一正极端子(131)和第一负极端子(132)通过绝缘片连接;
所述第二输入端口(22)为与所述第一叠层端子配合使用的第二叠层端子,所述第二叠层端子包括均为片状结构的第二正极端子(221)和设置于所述第二正极端子(221)下方的第二负极端子(222),所述第二正极端子(221)与第一正极端子(131)的长度之和与所述第二负极端子(222)和第一负极端子(132)的长度之和相同,所述第二正极端子(221)和第二负极端子(222)的宽度相同,所述第二正极端子(221)和第二负极端子(222)通过绝缘片连接。
6.根据权利要求5所述的功率装置,其特征在于,
所述第一正极端子(131)远离所述薄膜电容(1)的一侧设置有第一通孔(1311),所述第一负极端子(131)远离所述薄膜电容(1)的一侧设置有与第一通孔(1311)圆周相匹配的弧形缺口;
所述第二负极端子(222)远离所述IGBT模组(2)的一侧设置有与第一通孔(1311)孔径相同的第二通孔(2211),所述第二正极端子(221)远离所述IGBT模组(2)的一侧设置有与第二通孔(2211)圆周相匹配的弧形缺口;
所述第一通孔(1311)和所述第二通孔(2221)内设置有螺钉(73),所述螺钉(73)通过绝缘压片(74)与所述第一叠层端子和第二叠层端子绝缘连接。
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