[发明专利]一种通用封装的功率装置

权利要求书

1.一种通用封装的功率装置，其特征在于，包括：薄膜电容(1)、IGBT模组(2)、散热组件(3)、驱动控制组件(4)和屏蔽板(5)；

所述薄膜电容(1)和/或所述IGBT模组(2)采用通用封装，所述薄膜电容(1)和/或所述IGBT模组(2)的外形的尺寸为预设值；

与所述薄膜电容(1)和/或所述IGBT模组(2)组合使用的所述散热组件(3)、所述驱动控制组件(4)和所述屏蔽板(5)的外形的尺寸为预设值；

所述薄膜电容(1)内设置有多个并联的薄膜芯子(11)连接位，依据所述功率装置的功率输出数值设定所述薄膜芯子(11)的数量或大小；

所述IGBT模组(2)内设置有多个芯片裸片(21)连接位，依据所述功率装置的功率输出数值设定所述芯片裸片(21)的数量或大小。

2.根据权利要求1所述的功率装置，其特征在于，

所述IGBT模组(2)设置于所述散热组件(3)的上方，且与所述散热组件(3)固定连接；

所述散热组件(3)和IGBT模组(2)均设置于所述薄膜电容(1)的一侧；

所述薄膜电容(1)分别与所述IGBT模组(2)和散热组件(3)连接。

3.根据权利要求1所述的功率装置，其特征在于，

所述薄膜电容(1)的一侧设置有输出铜排(12)，所述输出铜排(12)上设置有至少一个第一输出端口(13)；

所述IGBT模组(2)一侧设置有至少一个第二输入端口(22)，另一侧设置有与所述第二输入端口(22)一一对应的第二输出端口(23)；

所述第一输出端口(13)与第二输入端口(22)一一对应连接。

4.根据权利要求1所述的功率装置，其特征在于，

所述IGBT模组(2)包括一个或多个IGBT模块，所述IGBT模块相对的两侧分别设置有所述第二输入端口(22)和所述第二输出端口(23)；

所述第二输入端口(22)均位于所述IGBT模组(2)的一侧，所述第二输出端口(23)均位于所述IGBT模组(2)上与所述第二输入端口(22)侧相对的一侧。

5.根据权利要求3所述的功率装置，其特征在于，

所述第一输出端口(13)为第一叠层端子，所述第一叠层端子包括均为片状结构的第一正极端子(1341)和设置于所述第一正极端子(131)上方的第一负极端子(132)；所述第一正极端子(131)水平方向的长度长于所述第一负极端子(132)水平方向的长度；所述第一正极端子(131)和第一负极端子(132)在竖直方向重叠设置，所述第一正极端子(131)和第一负极端子(132)通过绝缘片连接；

所述第二输入端口(22)为与所述第一叠层端子配合使用的第二叠层端子，所述第二叠层端子包括均为片状结构的第二正极端子(221)和设置于所述第二正极端子(221)下方的第二负极端子(222)，所述第二正极端子(221)与第一正极端子(131)的长度之和与所述第二负极端子(222)和第一负极端子(132)的长度之和相同，所述第二正极端子(221)和第二负极端子(222)的宽度相同，所述第二正极端子(221)和第二负极端子(222)通过绝缘片连接。

6.根据权利要求5所述的功率装置，其特征在于，

所述第一正极端子(131)远离所述薄膜电容(1)的一侧设置有第一通孔(1311)，所述第一负极端子(131)远离所述薄膜电容(1)的一侧设置有与第一通孔(1311)圆周相匹配的弧形缺口；

所述第二负极端子(222)远离所述IGBT模组(2)的一侧设置有与第一通孔(1311)孔径相同的第二通孔(2211)，所述第二正极端子(221)远离所述IGBT模组(2)的一侧设置有与第二通孔(2211)圆周相匹配的弧形缺口；

所述第一通孔(1311)和所述第二通孔(2221)内设置有螺钉(73)，所述螺钉(73)通过绝缘压片(74)与所述第一叠层端子和第二叠层端子绝缘连接。