[发明专利]IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法有效
申请号: | 201811088689.2 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN109347467B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 梅桂芳;安昱;牛化鹏;辛德峰 | 申请(专利权)人: | 许继集团有限公司;国家电网有限公司;国网天津市电力公司;许继电气股份有限公司;西安许继电力电子技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H03K17/16 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 李清凡 |
地址: | 461000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | igbt 控制 方法 | ||
1.一种IGBT导通控制方法,其特征在于,该方法基于一种IGBT导通控制装置实现,所述IGBT导通控制装置包括第一阶段控制模块、第二阶段控制模块和IGBT控制信号产生模块,第一阶段控制模块包括第一比较器和第二比较器,第一比较器的两个比较输入端分别输入IGBT门极电压和动作点电压,第一比较器的输出端连接第二比较器的一个比较输入端,第二比较器的另一个比较输入端输入第一参考电压,第二比较器的输出端输出连接IGBT控制信号产生模块的对应的输入端;
第一比较器的输出端与第二比较器的Vp输入端之间串接有变阻器R58,第二比较器的Vp输入端与地之间串接有电阻R59和电阻R63,电阻R59和电阻R63之间的连接点与地之间串接有电容C59;R59、C59、R63、R58构成了Vge电压的第一模拟电路;第二比较器的Vn输入端与第一参考电压之间串接有电阻R89,第二比较器的Vn输入端与地之间串接有电容C62,电容C62与由电阻R80与变阻器R84构成的串联支路并联;R89、R80、R84和C62构成生成参考曲线的RC电路;
第二阶段控制模块包括第三比较器和第四比较器,第三比较器的两个比较输入端分别输入IGBT集-射极电压和动作点电压,第三比较器的输出端连接第四比较器的一个比较输入端,第四比较器的另一个比较输入端输入第二参考电压,第四比较器的输出端输出连接IGBT控制信号产生模块的对应的输入端;
第三比较器的输出端与第四比较器的Vp输入端之间串设有变阻器R61,第四比较器的Vp输入端与地之间串设有电阻R79和电阻R69,电阻R79和电阻R69之间的连接点与地之间串设有电容C60;R61、R69、R79、C60构成第二模拟电路;第二参考电压与第四比较器的Vn输入端之间串设有电阻R94,第四比较器的Vn输入端与地之间串设有电容C64,电容C64与由电阻R87与变阻器R93构成的串联支路并联;R94、R87、R93和C64构成生成参考曲线的RC电路;
IGBT驱动控制信号上升沿为具有三个电压幅值、且电压幅值依次增大的阶梯波;所述三个电压幅值依次为:电压V1、电压V2和电压V3,其中,电压V1持续的时间为t1,电压V2持续的时间为t2,V1<V2<V3;
通过采集IGBT门极电压Vge的电压,在IGBT门极电压Vge的电压上升过程中,当Vge等于设定动作电压时,第一比较器输出高电平,使用第一比较器输出的高电平为第一模拟电路充电,并产生第一模拟电压,当第一模拟电压小于设定的第一参考电压时,第二比较器输出高电平,IGBT控制信号产生模块产生V2,IGBT门极电压Vge的电压上升时,IGBT集-射极电压Vce下降,在IGBT集-射极电压Vce下降过程中,当Vce等于设定动作电压时,第三比较器输出高电平,使用第三比较器输出的高电平为第二模拟电路充电,并产生第二模拟电压,当第二模拟电压小于设定的第二参考电压时,第四比较器输出高电平,IGBT控制信号产生模块产生V3;
通过调整R58的大小改变第一模拟电路的时间常数,通过调整R84改变第一生成参考曲线RC电路的时间常数,通过调整第一模拟电路的时间常数和第一生成参考曲线RC电路的时间常数改变V1持续时间t1;
通过调整R61改变第二模拟电路的时间常数,通过调整R93第二生成参考曲线RC电路的时间常数,通过调整第二生成模拟电路的时间常数和第二参考曲线RC电路的时间常数改变V2持续时间t2。
2.根据权利要求1所述的IGBT导通控制方法,其特征在于,所述V1为5V,所述V2为10V,所述V3为15V。
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