[发明专利]IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法有效
申请号: | 201811088689.2 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN109347467B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 梅桂芳;安昱;牛化鹏;辛德峰 | 申请(专利权)人: | 许继集团有限公司;国家电网有限公司;国网天津市电力公司;许继电气股份有限公司;西安许继电力电子技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H03K17/16 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 李清凡 |
地址: | 461000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | igbt 控制 方法 | ||
本发明涉及IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法,在控制IGBT导通时,给IGBT的驱动信号为:首先电压为V1,经过t1时间后,改变为V2,经过t2时间后,改变为V3;其中,V1<V2<V3,也就是说,控制导通的控制信号为一个阶梯波;同理,控制IGBT关断的控制信号也是一个阶梯波。通过该导通和关断控制方法,可以在IGBT导通和关断过程中控制各串联IGBT门极电压信号,并且根据每个IGBT的集‑射极电压调整相应的门极驱动电压输出,最终达到各串联IGBT集‑射极电压一致的目的。该方法采用模拟电路实现门极电压的输出波形控制和集‑射极电压至基极电压的双闭环反馈,实现方法简单,控制方便,成本低廉,抗干扰性能强。
本申请为下述申请的分案申请,原申请的申请日:2015年11月16日,原申请的申请号:201510784260.7,原申请的发明名称:IGBT导通控制方法、装置和IGBT关断控制方法、装置。
技术领域
本发明涉及IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法。
背景技术
IGBT是一种比较理想的全控型器件,在电力电子领域得到了广泛的应用。然而,在许多高压或者超高压场合中,由于单个器件的耐压等级较低,导致其使用受到限制,IGBT串联使用是一种较为有效的提高耐压的方法,因此研究IGBT串联均压技术具有十分重要的意义。
IGBT串联技术需要解决的一个核心问题是IGBT门极电压信号的控制问题。现有的常规控制方法只是在IGBT的门极加载一个正向电压以使IGBT导通,在IGBT的门极加载一个负向电压以使IGBT关断,这种方式对于单个IGBT的控制没有什么大的影响,但是对于控制多个串联的IGBT就会有一定的影响,它只能控制IGBT的导通或者关断,并不能根据具体情况调节导通或者关断信号,这样会导致各串联IGBT集-射极电压不一致的情况,对于整个串联线路的正常运行造成很大的影响,也易受到其他干扰。
发明内容
本发明的目的是提供IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法,用以解决现有的IGBT导通和关断控制方式会导致各串联IGBT集-射极电压不一致的情况的问题。
为实现上述目的,本发明的方案包括一种IGBT导通控制方法,IGBT驱动控制信号上升沿为具有三个电压幅值、且电压幅值依次增大的阶梯波;所述三个电压幅值依次为:电压V1、电压V2和电压V3,其中,电压V1持续的时间为t1,电压V2持续的时间为t2,V1<V2<V3。
通过采集IGBT门极电压Vge的电压,在IGBT门极电压Vge的电压上升过程中,当Vge等于设定动作电压时,第一比较器输出高电平,使用第一比较器输出的高电平为第一模拟电路充电,并产生第一模拟电压,当第一模拟电压小于设定的第一参考电压时,第二比较器输出高电平,IGBT控制信号产生模块产生V2,IGBT门极电压Vge的电压上升时,IGBT集-射极电压Vce下降,在IGBT集-射极电压Vce下降过程中,当Vce等于设定动作电压时,第三比较器输出高电平,使用第三比较器输出的高电平为第二模拟电路充电,并产生第二模拟电压,当第二模拟电压小于设定的第二参考电压时,第四比较器输出高电平,IGBT控制信号产生模块产生V3。
所述V1为5V,所述V2为10V,所述V3为15V。
一种IGBT关断控制方法,IGBT关断控制信号下降沿为具有三个负向电压幅值、且负向电压幅值的绝对值依次增大的阶梯波;所述三个负向电压幅值依次为:负向电压V1、负向电压V2和负向电压V3,其中,负向电压V1持续的时间为t3,负向电压V2持续的时间为t4,|V1|<|V2|<|V3|。
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