[发明专利]IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法有效

专利信息
申请号: 201811088689.2 申请日: 2015-11-16
公开(公告)号: CN109347467B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 梅桂芳;安昱;牛化鹏;辛德峰 申请(专利权)人: 许继集团有限公司;国家电网有限公司;国网天津市电力公司;许继电气股份有限公司;西安许继电力电子技术有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/16
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 李清凡
地址: 461000 河*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: igbt 控制 方法
【说明书】:

发明涉及IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法,在控制IGBT导通时,给IGBT的驱动信号为:首先电压为V1,经过t1时间后,改变为V2,经过t2时间后,改变为V3;其中,V1<V2<V3,也就是说,控制导通的控制信号为一个阶梯波;同理,控制IGBT关断的控制信号也是一个阶梯波。通过该导通和关断控制方法,可以在IGBT导通和关断过程中控制各串联IGBT门极电压信号,并且根据每个IGBT的集‑射极电压调整相应的门极驱动电压输出,最终达到各串联IGBT集‑射极电压一致的目的。该方法采用模拟电路实现门极电压的输出波形控制和集‑射极电压至基极电压的双闭环反馈,实现方法简单,控制方便,成本低廉,抗干扰性能强。

本申请为下述申请的分案申请,原申请的申请日:2015年11月16日,原申请的申请号:201510784260.7,原申请的发明名称:IGBT导通控制方法、装置和IGBT关断控制方法、装置。

技术领域

本发明涉及IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法。

背景技术

IGBT是一种比较理想的全控型器件,在电力电子领域得到了广泛的应用。然而,在许多高压或者超高压场合中,由于单个器件的耐压等级较低,导致其使用受到限制,IGBT串联使用是一种较为有效的提高耐压的方法,因此研究IGBT串联均压技术具有十分重要的意义。

IGBT串联技术需要解决的一个核心问题是IGBT门极电压信号的控制问题。现有的常规控制方法只是在IGBT的门极加载一个正向电压以使IGBT导通,在IGBT的门极加载一个负向电压以使IGBT关断,这种方式对于单个IGBT的控制没有什么大的影响,但是对于控制多个串联的IGBT就会有一定的影响,它只能控制IGBT的导通或者关断,并不能根据具体情况调节导通或者关断信号,这样会导致各串联IGBT集-射极电压不一致的情况,对于整个串联线路的正常运行造成很大的影响,也易受到其他干扰。

发明内容

本发明的目的是提供IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法,用以解决现有的IGBT导通和关断控制方式会导致各串联IGBT集-射极电压不一致的情况的问题。

为实现上述目的,本发明的方案包括一种IGBT导通控制方法,IGBT驱动控制信号上升沿为具有三个电压幅值、且电压幅值依次增大的阶梯波;所述三个电压幅值依次为:电压V1、电压V2和电压V3,其中,电压V1持续的时间为t1,电压V2持续的时间为t2,V1<V2<V3。

通过采集IGBT门极电压Vge的电压,在IGBT门极电压Vge的电压上升过程中,当Vge等于设定动作电压时,第一比较器输出高电平,使用第一比较器输出的高电平为第一模拟电路充电,并产生第一模拟电压,当第一模拟电压小于设定的第一参考电压时,第二比较器输出高电平,IGBT控制信号产生模块产生V2,IGBT门极电压Vge的电压上升时,IGBT集-射极电压Vce下降,在IGBT集-射极电压Vce下降过程中,当Vce等于设定动作电压时,第三比较器输出高电平,使用第三比较器输出的高电平为第二模拟电路充电,并产生第二模拟电压,当第二模拟电压小于设定的第二参考电压时,第四比较器输出高电平,IGBT控制信号产生模块产生V3。

所述V1为5V,所述V2为10V,所述V3为15V。

一种IGBT关断控制方法,IGBT关断控制信号下降沿为具有三个负向电压幅值、且负向电压幅值的绝对值依次增大的阶梯波;所述三个负向电压幅值依次为:负向电压V1、负向电压V2和负向电压V3,其中,负向电压V1持续的时间为t3,负向电压V2持续的时间为t4,|V1|<|V2|<|V3|。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许继集团有限公司;国家电网有限公司;国网天津市电力公司;许继电气股份有限公司;西安许继电力电子技术有限公司,未经许继集团有限公司;国家电网有限公司;国网天津市电力公司;许继电气股份有限公司;西安许继电力电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811088689.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top