[发明专利]一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜，其特征在于，包括依次连接的载体离型层、黑色绝缘层、合金屏蔽层、导电接着层、以及保护离型层，以质量份数计，所述黑色绝缘层包括5～85份的绝缘树脂、2～18份的固化剂、0.1～12份的促进剂、5～40份的填料、8～45份的阻燃剂、5～20份的黑色母以及1～10份的哑光粉，所述合金屏蔽层包括10～50份的石墨烯、10～30份的合金粉以及10～35份的环氧树脂。

2.根据权利要求1所述的一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述的绝缘树脂为双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、DCPD型环氧树脂和联苯型环氧树脂中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述固化剂为苯酐型固化剂和氰胺类固化剂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述填料为氢氧化铝、碳酸钙和炭黑中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述促进剂为咪唑类促进剂，包括2-甲基咪唑、1-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述阻燃剂为含磷类和含氮类阻燃剂中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述载体离型层的厚度为48～52微米，所述黑色绝缘层的厚度为7～9微米，所述合金屏蔽层的厚度为4～6微米，所述导电接着层的厚度为5～7微米。

8.用于制备权利要求1-7任一项所述的一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)制备黑色绝缘层：按配比将绝缘树脂、固化剂、促进剂、填料、阻燃剂混合搅拌后过滤，加入5～20份的黑色母以及1～10份的哑光粉，继续搅拌，经再次过滤后上机涂布至载体离型层上；

(2)制备合金屏蔽层：按配比将环氧树脂、合金粉以及石墨烯混合后在常温下搅拌，经过过滤、上机涂布至黑色绝缘层上；

(3)制备导电接着层：将导电胶上机涂布至合金屏蔽层上；

(4)制备保护离型层：将保护膜贴合至导电接着层上，即得保护离型层。

9.根据权利要求8所述的一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，两次搅拌的转速均为500转，搅拌时间均为2.5小时，过滤采用5微米滤网。

10.根据权利要求8所述的一种高透气性适用于5G的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)～(3)中，涂布的速度为10～20米每秒。