[发明专利]存储单元的阈值调整方法、装置、存储设备和存储介质有效
申请号: | 201811089387.7 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN110910939B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 张赛;苏如伟;付永庆 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/14 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 单元 阈值 调整 方法 装置 设备 介质 | ||
1.一种存储单元的阈值调整方法,其特征在于,包括:
如果在执行擦除操作的过程中异常断电,则在所述异常断电之后第一次上电时,从设定存储区域获取所述擦除操作对应的擦除地址数据,其中,所述设定存储区域用于在每一次擦除操作执行之前存储本次擦除操作对应的擦除地址数据;其中,所述设定存储区域仅用于对擦除地址数据进行存储;
对所述擦除地址数据对应的存储单元进行软编程操作,其中,所述软编程操作对应的软编程成功检验阈值为0V;
在所述如果在执行擦除操作的过程中异常断电,则在所述异常断电之后第一次上电时,从设定存储区域获取所述擦除操作对应的擦除地址数据之前,还包括:
接收操作指令;
判断所述操作指令对应的操作是否为擦除操作;
若所述操作指令对应的操作为擦除操作,则将所述擦除操作对应的擦除地址数据存储至所述设定存储区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述擦除操作对应的擦除地址数据存储至所述设定存储区域,包括:
获取所述设定存储区域中的存储数据;
判断所述存储数据是否与所述擦除操作对应的擦除地址数据相同;
若所述存储数据与所述擦除操作对应的擦除地址数据不同,则将所述存储数据改写为与所述擦除操作对应的擦除地址数据。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述擦除操作对应的擦除地址数据存储至所述设定存储区域,包括:
获取所述设定存储区域中存储时间最晚的一组存储数据;
判断所述存储时间最晚的一组存储数据是否与所述擦除操作对应的擦除地址数据相同;
若所述存储时间最晚的一组存储数据与所述擦除操作对应的擦除地址数据不同,则继续判断所述设定存储区域的剩余存储容量是否大于等于所述擦除地址数据对应的存储容量;
若所述设定存储区域的剩余存储容量大于等于所述擦除地址数据对应的存储容量,则将所述擦除地址数据以及当前时间关联存储至所述设定存储区域;
若所述设定存储区域的剩余存储容量小于所述擦除地址数据对应的存储容量,则擦除所述设定存储区域中的所有数据,再将所述擦除地址数据以及当前时间关联存储至所述设定存储区域。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,所述对所述擦除地址数据对应的存储单元进行软编程操作,包括:
将所述擦除地址数据对应的存储单元所对应的所有字线依次作为当前软编程字线,并对当前软编程字线施加软编程电压脉冲信号;
在所述软编程电压脉冲信号中的每一个软编程电压脉冲结束时,检测所述当前软编程字线中的所述擦除地址数据对应的所有存储单元的导通阈值是否均大于0V;
若所述当前软编程字线中的所述擦除地址数据对应的所有存储单元的导通阈值均大于0V,则停止向所述当前软编程字线施加所述软编程电压脉冲信号,并返回执行所述将所述擦除地址数据对应的存储单元所对应的所有字线依次作为当前软编程字线,并对当前软编程字线施加软编程电压脉冲信号的操作,直至完成对所述擦除地址数据对应的存储单元所对应的所有字线的软编程操作;
若所述当前软编程字线中的所述擦除地址数据对应的所有存储单元的导通阈值并非均大于0V,则对导通阈值大于0V的存储单元所对应的位线施加截止电压,并向所述当前软编程字线施加下一个所述软编程电压脉冲,并返回执行所述在所述软编程电压脉冲信号中的每一个软编程电压脉冲结束时,检测所述当前软编程字线中的所述擦除地址数据对应的存储单元的导通阈值是否大于0V的操作,直至所述当前软编程字线对应的所有存储单元的导通阈值均大于0V。
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