[发明专利]存储单元的阈值调整方法、装置、存储设备和存储介质

说明书

本发明实施例公开了一种存储单元的阈值调整方法、装置、存储设备和存储介质。所述方法包括：如在执行擦除操作的过程中异常断电，则在异常断电后第一次上电时，从设定存储区域获取擦除操作对应的擦除地址数据，设定存储区域用于在每一次擦除操作执行前存储本次擦除操作对应的擦除地址数据；对擦除地址数据对应的存储单元进行软编程操作，软编程操作对应的软编程成功检验阈值为0V。本发明实施例的技术方案解决了现有技术中为了提高擦除过程异常掉电后，再次上电时数据读取的准确度，导致数据存储成本大幅增加的技术缺陷，实现了在不增加硬件成本的同时，提高擦除过程异常掉电后，再次上电时数据读取的准确度，大大降低了数据存储的成本。

技术领域

本发明实施例涉及存储设备技术领域，尤其涉及一种存储单元的阈值调整方法、装置、存储设备和存储介质。

背景技术

存储器广泛应用在各种电子器件中，用于存储各种各样的数据。存储器在使用中会频繁地进行读、写以及擦除的操作。如果存储器在执行擦除操作的过程中突然掉电，那么很可能会导致再次上电之后数据读取错误。

现有技术中，为了防止由于在擦除过程中突然掉电导致的再次上电之后数据读取错误的情况，一般会同时使用两个存储器用于存储相同的数据，或是增设大电容，用于在突然掉电时作为电源以保证顺利完成当前擦除操作。对于同时使用两个存储器用于存储相同的数据的情况而言，在对其中一个存储器进行擦除操作时，另外一个存储器中的数据保持不变，当对其中一个存储器的擦除操作结束之后，再对另外一个存储器中的数据进行相同的擦除操作。

发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术存在如下缺陷：通过增设硬件达到提高数据读取准确度的目的，导致了数据存储成本的大幅增加。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种存储单元的阈值调整方法、装置、存储设备和存储介质，以优化现有的。

在第一方面，本发明实施例提供了一种存储单元的阈值调整方法，包括：

如果在执行擦除操作的过程中异常断电，则在所述异常断电之后第一次上电时，从设定存储区域获取所述擦除操作对应的擦除地址数据，其中，所述设定存储区域用于在每一次擦除操作执行之前存储本次擦除操作对应的擦除地址数据；

对所述擦除地址数据对应的存储单元进行软编程操作，其中，所述软编程操作对应的软编程成功检验阈值为0V。

在上述方法中，可选的是，在所述如果在执行擦除操作的过程中异常断电，则在所述异常断电之后第一次上电时，从设定存储区域获取所述擦除操作对应的擦除地址数据之前，还包括：

接收操作指令；

判断所述操作指令对应的操作是否为擦除操作；

若所述操作指令对应的操作为擦除操作，则将所述擦除操作对应的擦除地址数据存储至所述设定存储区域。

在上述方法中，可选的是，所述将所述擦除操作对应的擦除地址数据存储至所述设定存储区域，包括：

获取所述设定存储区域中的存储数据；

判断所述存储数据是否与所述擦除操作对应的擦除地址数据相同；

若所述存储数据与所述擦除操作对应的擦除地址数据不同，则将所述存储数据改写为与所述擦除操作对应的擦除地址数据。

在上述方法中，可选的是，所述将所述擦除操作对应的擦除地址数据存储至所述设定存储区域，包括：

获取所述设定存储区域中存储时间最晚的一组存储数据；

判断所述存储时间最晚的一组存储数据是否与所述擦除操作对应的擦除地址数据相同；