[发明专利]包括数据存储图案的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基体绝缘层，位于基底上；

第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；

数据存储结构，位于第一导电线上，每个数据存储结构包括下电极、数据存储图案和上电极；

下电极连接部分，从下电极的下部在第一方向上延伸；

间隔件，设置在第一导电线与数据存储图案之间，间隔件的侧表面与下电极的侧表面接触；

间隔件连接部分，从间隔件的下部在第一方向上延伸；

选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极，选择器结构限定位于选择器结构之间的空间；

绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及

第二导电线，位于选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向不同且相交的第二方向上延伸，

其中，绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于选择器结构上的连接图案。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，连接图案的上表面与绝缘层的上表面共面。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，连接图案的上表面高于绝缘层的上表面。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中，连接图案的上表面是凸的，

其中，绝缘层的上表面具有凹的槽。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，第二导电线具有与连接图案的上表面接触的凹的槽。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，连接图案的宽度等于上选择器电极的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二导电线包括与选择器结构接触的突起。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，每个选择器结构还包括位于上选择器电极和选择器之间的上界面图案以及位于下选择器电极和选择器之间的下界面图案。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，连接图案包括与上界面图案相同的材料。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，选择器包括阈值开关材料。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，数据存储图案包括相变材料。

13.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一导电线，在基底上沿第一方向延伸；

第二导电线，在与第一方向不同且相交的第二方向上延伸，

数据存储结构，位于第一导电线和第二导电线之间，每个数据存储结构包括下电极、数据存储图案和上电极；

下电极连接部分，从下电极的下部在第一方向上延伸；

间隔件，设置在第一导电线与数据存储图案之间，间隔件的侧表面与下电极的侧表面接触；

间隔件连接部分，从间隔件的下部在第一方向上延伸；

开关结构，位于第一导电线和第二导电线之间，每个开关结构包括下开关电极、开关和上开关电极，开关结构限定位于开关结构之间的空间；以及

绝缘层，位于开关结构之间的空间中，

其中，绝缘层的上表面高于上开关电极的上表面。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，第二导电线包括与开关结构接触的突起。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，所述半导体装置还包括与上开关电极的上表面接触的插塞。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，插塞的上表面与绝缘层的上表面共面。