[发明专利]包括数据存储图案的半导体装置

说明书

提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。

本申请要求于2017年10月11日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0131614号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容以此通过引用包含于此，如同其全部内容阐述一样。

技术领域

本发明构思总体上涉及半导体装置，更具体地，涉及包括数据存储图案的半导体装置。

背景技术

已经开发了高性能和低功耗的诸如存储器装置的半导体装置、诸如相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等的下一代存储器装置。这样的下一代存储器装置可以使用数据存储材料形成，数据存储材料的电阻值可以根据电流或电压来进行改变，并且即使在失去或者去除电流或电压的供应的情况下，也可以保持电阻值。为了提高这样的下一代存储器装置的集成度，已经开发了包括被布置为具有三维结构的存储器单元的存储器装置，但是已经出现了不期望的缺陷。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，填充选择器结构之间的空间；以及第二导电线，位于选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向不同且相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。

本发明构思的进一步的实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一导电线，在基底上沿第一方向延伸；第二导电线，在与第一方向不同且相交的第二方向上延伸，开关结构，位于第一导电线和第二导电线之间，每个开关结构包括下开关电极、开关和上开关电极；以及绝缘层，位于开关结构之间的空间中。绝缘层的上表面高于上开关电极的上表面。

本发明构思的又进一步的实施例提供了半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上；绝缘层，填充选择器结构之间的空间；以及第二导电线，位于选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向不同且相交的第二方向上延伸。每个选择器结构包括下选择器电极、下界面图案、选择器、上界面图案和上选择器电极，绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。

附图说明

图1是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的半导体装置的俯视图。

图2和图3是分别沿示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的图1的线I-I'和线II-II'的剖面。

图4至图21是沿图1的线I-I'和线II-II'的剖面，其示出了在根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的制造中的工艺步骤。

图22和图23是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的剖面。

图24和图25是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体装置的剖面。

具体实施方式

现在将在下面参照附图更充分地讨论本发明构思，在附图中示出了发明构思的示例性实施例。通过下面将参照附图更详细讨论的示例性实施例，发明构思和实现发明构思的方法将是明显的。然而，发明构思的实施例可以以不同的形式来实施，并且不应该被理解为受限于这里所阐述的实施例。相反，这些实施例被提供使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达发明构思的范围。