[发明专利]一种多晶硅栅的表面刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811092544.X | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110931355A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 付红 | 申请（专利权）人： | 付红 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225819 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 表面 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅栅的表面刻蚀方法，包括以下步骤：氢氟酸刻蚀、溢流清洗氢氟酸、浓H3PO3刻蚀，快速排热水清洗浓H3PO3、SCl湿法清洗表面杂质过程，热水清洗过程和硅片干燥过程。
2.根据权利要求1所述的多晶硅栅刻蚀过程，其特征在于，所述溢流清洗氢氟酸和速排热水清洗浓H3PO3均使用超纯水清洗。
3.根据权利要求2、3所述的多晶硅栅刻蚀过程，其特征在于，所述SCl湿法清洗表面杂质的过程中的清洗液为NH4OH、H2O2和H2O的碱性溶液，其中NH4OH、H2O2的质量含量均为20—25%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于付红，未经付红许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811092544.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型螺丝刀
- 下一篇：一种精准测量燃气灶上锅具内食物温度的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
