[发明专利]一种多晶硅栅的表面刻蚀方法

说明书

本发明及多晶硅栅制作技术领域，特别涉及一种多晶硅栅表面杂质去除方法，包括浓₃PO₃湿法刻蚀过程和SCl湿法清洗表面杂质的过程。本发明清洗液中含有H₂O₂，属于一种强氧化剂，能氧化硅片表面及杂质颗粒，而杂质粒颗的氧化层提供消散机制，分裂并溶解杂质颗粒，破坏杂质颗粒和硅片表面之间的附着力，使杂质颗粒变成可溶于SCl清洗液而脱离表面，同时在这一过程中H₂O₂氧化效应也在硅片表面形成一个保护层，阻止杂质颗粒重新黏附在硅片表面。

技术领域

本发明涉及多晶硅栅制作技术领域，特别涉及一种多晶硅栅的表面刻蚀方法。

背景技术

在半导体湿法刻蚀工艺中，热H₃PO₃刻蚀法用于刻蚀Si₃N₄和SiON，所使用的热H₃PO₃刻蚀液与去离子水的混合液，其中H₃PO₃的浓度保持在85%—92%，它的工艺温度是150-180℃，由于浓度为85%的H₃PO₃在154℃的时侯就已经达到沸点，所以整个刻蚀相对其它湿法工艺更加复杂和难以控制。但是相比较高浓度的氢氟酸，在高温条件下的热H₃PO₃对于Si₃N₄和SiON具有很高的刻蚀选择比，所述 业界还是采用热H₃PO₃来刻蚀Si₃N₄和SiON。

由于热H₃PO₃刻蚀有很高的温度要求，许多相磁联的参数如热H₃PO₃刻蚀液的浓度、温度、使用寿命等都会对工艺结果产生影响，同时在热H₃PO₃刻蚀之后，Si片表面的缺陷也急剧增多，影响Si片后续的工艺制程，甚至降产品的可靠性和成品率。到目前为止运用有效清洗方法来降低热H₃PO₃混法刻蚀后的杂质颗粒仍然是一个技术难题。一般采用表面刷洗的方面，但杂质颗粒的去除效果不理想。

发明内容

本发明针对现有技术中热H₃PO₃混法刻蚀后杂质颗粒清洗存在的难题，提供一种可以有效去除多晶硅栅表面杂质去除方法。

本发明的目的是这样实现的，一种多晶硅栅的表面刻蚀方法，氢氟酸刻蚀、溢流清洗氢氟酸、浓H₃PO₃刻蚀，快速排热水清洗浓H₃PO₃、SCl湿法清洗表面杂质过程，热水清洗过程和硅片干燥过程。