[发明专利]一种VDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811093637.4 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109103110B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 盛世瑶兰（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区桂*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；
在所述外延层上表面依次生长栅氧化层以及位于所述栅氧化层表面且具有第一开口的多晶硅层；
在所述外延层表面区域形成第二导电类型的体区；
在所述栅氧化层及所述多晶硅层上表面形成第一介质层；
在所述第一开口内形成沿所述第一开口的长度方向上间隔排列的多个源区光刻胶；
对所述第一介质层进行湿法腐蚀，以去除未被所述源区光刻胶覆盖的第一介质层以及被所述源区光刻胶覆盖的部分所述第一介质层，所保留的第一介质层为第二介质层；
对所述栅氧化层进行干法刻蚀，去除所述源区光刻胶下方以外的所述栅氧化层，以形成阶梯状的源区注入窗口；
在所述体区表面区域形成第一导电类型的源区。
2.如权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述源区包括第一部分以及位于所述第一部分上的第二部分，所述第二部分的宽度大于所述第一部分。
3.权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述源区光刻胶的宽为4um，长度为7um。
4.权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，相邻两个所述源区光刻胶的间距为2um。
5.权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述体区表面区域形成第一导电类型源区之后，所述方法还包括：依次形成深体区、第三介质层以及金属层，其中，所述深体区形成于所述体区的表面区域且与所述源区连接，所述第三介质层形成于所述多晶硅层及所述栅氧化层上表面，所述金属层形成于所述源区、所述深体区和所述第三介质层上表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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