[发明专利]一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201811095422.6 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109326549B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 杨涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 转移 方法 显示 面板 及其 制备 | ||
1.一种微发光二极管的转移方法,其特征在于,该方法包括:
形成具有多种凸起结构的衬底基板,不同种所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的具有不同的高度,所述凸起结构之间在垂直于所述衬底基板方向上的最大高度差小于所述微发光二极管的厚度;
在所述凸起结构之上形成微发光二极管阵列;
利用平面传送头,按照所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的高度由高到低的顺序,依次将所述凸起结构之上微发光二极管转移到接收基板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成具有多种凸起结构的衬底基板具体包括:
提供平坦化衬底基板;
采用图形化工艺处理所述平坦化衬底基板,在所述平坦化衬底基板的表面形成厚度不同的多种凸起结构;
其中,所述接收基板具有多个像素,沿第一方向相邻两个同种所述凸起结构之间的距离等于所述接收基板沿所述第一方向相邻两个像素之间的距离;沿第二方向相邻两个同种所述凸起结构之间的距离等于所述接收基板的沿所述第二方向相邻两个像素之间的距离;所述第一方向和所述第二方向交叉;厚度最小的所述凸起结构的厚度大于所述微发光二极管的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述接收基板包括多个第一电极;利用平面传送头按照所述凸起结构由高到低的顺序依次将所述凸起结构之上微发光二极管转移到所述接收基板具体包括:
重复执行以下步骤直到所述衬底基板上的微发光二极管全部转移至所述接收基板:
利用所述平面传送头拾取当前在所述衬底基板上最高的所述微发光二极管;
利用所述平面传送头将拾取的所述微发光二极管转移至所述接收基板,使得所述微发光二极管与所述第一电极键合;
将所述平面传送头与拾取的所述微发光二极管分离。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述平面传送头包括对位识别装置;
在所述凸起结构之上形成微发光二极管阵列之后,该方法还包括:
在所述衬底基板上形成多个对位标记,所述多个对位标记与所述凸起结构由高到低的顺序一一对应;
利用所述平面传送头拾取当前在所述衬底基板上最高的所述微发光二极管之前,该方法还包括:
确定当前需要拾取的凸起结构对应的对位标记,移动所述平面传送头,使得所述对位识别装置与该对位标记对准;
或者,在所述凸起结构之上形成微发光二极管阵列之后,该方法还包括:
在所述衬底基板上形成第一初始对位标记;
将所述衬底基板置于可移动载台之上;
移动所述平面传送头,使得所述对位识别装置与所述第一初始对位标记对准并记录所述平面传送头的第一初始对位位置;
利用所述平面传送头拾取当前在所述衬底基板上最高的所述微发光二极管之后,该方法还包括:
移动所述可移动载台,使得所述衬底基板沿所述凸起结构由高到低排列方向依次移动第一预设距离,所述第一预设距离等于相邻两个不同种所述凸起结构之间的间距;
将所述平面传送头与拾取的所述微发光二极管分离之后,该方法还包括:
移动所述平面传送头至所述第一初始对位位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造