[发明专利]一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201811095422.6 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109326549B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 杨涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 转移 方法 显示 面板 及其 制备 | ||
本申请公开了一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法,用以简化微发光二极管器件制备的工艺复杂度,节省微发光二极管器件制备的成本。本申请实施例提供的一种微发光二极管转移的方法,该方法包括:形成具有多种凸起结构的衬底基板,不同种所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的具有不同的高度,所述凸起结构之间在垂直于所述衬底基板方向上的最大高度差小于所述微发光二极管的厚度;在所述凸起结构之上形成微发光二极管阵列;利用平面传送头,按照所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的高度由高到低的顺序,依次将所述凸起结构之上微发光二极管转移到接收基板。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的器件,由于其较普通LED的尺寸要小很多,从而使得单一的LED作为像素(Pixel)用于显示成为可能,Micro LED显示器便是一种以高密度的Micro LED阵列作为显示像素阵列来实现图像显示的显示器,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,Micro LED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器一样属于自发光显示器,但Micro LED显示器相比于OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点。目前,Micro LED器件需在供给基板上生长,然后通过微转印技术将Micro LED转移到有电路图案的接收基板上,现有技术中的微转印技术需要使用具有图案化的传送头将Micro LED从供给基板吸附,在将传送头与接收基板对位并将Micro LED贴付到接收基板的预设位置上,再将传送头剥离即可完成Micro LED的转移。上述通过微转印技术转移Micro LED的过程中,需要使用图案化的传送头,传送头结构复杂且制造图案化的传送头需要额外的工艺以及成本。综上,现有技术制备Micro LED器件的工艺复杂、成本高。
发明内容
本申请实施例提供了一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法,用以简化微发光二极管器件制备的工艺复杂度,节省微发光二极管器件制备的成本。
本申请实施例提供的一种微发光二极管的转移方法,该方法包括:
形成具有多种凸起结构的衬底基板,不同种所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的具有不同的高度,所述凸起结构之间在垂直于所述衬底基板方向上的最大高度差小于所述微发光二极管的厚度;
在所述凸起结构之上形成微发光二极管阵列;
利用平面传送头,按照所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的高度由高到低的顺序,依次将所述凸起结构之上微发光二极管转移到接收基板。
本申请实施例提供的Micro LED转移的方法,当需要将衬底基板上的Micro LED批量转移时,由于用于生长Micro LED的衬底基板具有多个凸起结构,且Micro LED阵列位于凸起结构之上,使得不同批次转移的Micro LED位于不同种凸起结构之上,从而使用平面传送头即可将不同种凸起结构之上的Micro LED按照由高到低的顺序依次转移,实现MicroLED批量转移的同时无需对传送头图案化,从而可以简化传送头制备工艺、节省传送头制备成本,进而简化Micro LED转移的工艺及节省Micro LED转移的成本。并且,由于可以采用不需要图案化的平面传送头实现对Micro LED的批量转移,对于不同Micro LED器件的制备,即便需要改变Micro LED阵列的间距,不更换传送头也可以实现对Micro LED的拾取、转移,即本申请实施例提供的Micro LED转移的方法中,平面传送头可以重复利用,进一步节省了成本。
可选地,所述形成具有多种凸起结构的衬底基板具体包括:
提供形成平坦化衬底基板;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造