[发明专利]一种基于n型硅片的异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种基于n型硅片的异质结太阳能电池，其特征在于，包括n型硅片、正面i层硅薄膜、正面p层硅薄膜、反面i层硅薄膜、反面n层硅薄膜、正面薄膜导电层和反面薄膜导电层，所述正面薄膜导电层和反面薄膜导电层中至少之一为氧化锌薄膜导电层，其中：

所述n型硅片正面通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积有所述正面i层硅薄膜，在所述正面i层硅薄膜上通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积有所述正面p层硅薄膜，在所述正面p层硅薄膜上通过化学气相沉积CVD法沉积有所述正面薄膜导电层，所述n硅片背面通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积有所述反面i硅薄膜，在所述反面i硅薄膜上通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积所述n层硅薄膜，在所述n层硅薄膜上通过化学气相CVD法沉积有所述反面薄膜导电层，若正面薄膜导电层与反面薄膜导电层中的其中一层为非氧化锌薄膜导电层，则非氧化锌薄膜导电层的一层通过磁控溅射PVD法沉积，所述等离子体化学气相沉积PECVD法、化学气相沉积LPCVD法、磁控溅射PVD法均在真空环境下进行。

2.根据权利要求1所述的基于n型硅片的异质结太阳能电池，其特征在于，所述化学气相沉积为低压力化学气相沉积LPCVD法。

3.根据权利要求2所述的基于n型硅片的异质结太阳能电池，其特征在于，所述氧化锌薄膜导电层在低压力化学气相沉积LPCVD法沉积时在表面生成绒面。

4.根据权利要求1所述的基于n型硅片的异质结太阳能电池，其特征在于，所述n型硅片采用制绒的n型硅片。

5.根据权利要求1所述的基于n型硅片的异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面薄膜导电层与反面薄膜导电层均为透明薄膜导电层。

6.一种制作权利要求1所述的基于n型硅片的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述正面薄膜导电层和反面薄膜导电层中的其中一层为氧化锌薄膜导电层，另外一层为薄膜导电层时，包括以下步骤：

S10：用等离子气体对n型硅片进行表面钝化，并用氢离子轰击n型硅片；

S11：分别在n型硅片正反面上利用等离子体化学气相沉积PECVD法沉积正面i层硅薄膜、反面i层硅薄膜；

S12：在正面i层硅薄膜上利用等离子体化学气相沉积PECVD法沉积正面p层硅薄膜，在反面i层硅薄膜上利用等离子体化学气相沉积PECVD法沉积反面n层硅薄膜；

S13：在正面p层硅薄膜上沉积正面薄膜导电层，反面n层硅薄膜上沉积反面薄膜导电层，通过化学气相沉积CVD法沉积氧化锌薄膜导电层，通过磁控溅射PVD法沉积薄膜导电层；

S14：印刷栅线及激光清边。

7.一种制作权利要求1所述的基于n型硅片的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述正面薄膜导电层和反面薄膜导电层均为氧化锌薄膜导电层时，包括以下步骤：

S00：用等离子气体对n型硅片进行表面钝化，并用氢离子轰击n型硅片；

S01：分别在n型硅片正反面上利用等离子体化学气相沉积PECVD法沉积正面i层硅薄膜、反面i层硅薄膜；

S02：在正面i层硅薄膜上利用等离子体化学气相沉积PECVD法沉积正面p层硅薄膜，在反面i层硅薄膜上利用等离子体化学气相沉积PECVD法沉积反面n层硅薄膜；

S03：在正面p层硅薄膜上通过化学气相沉积CVD法沉积正面薄膜导电层，在反面n层硅薄膜上通过化学气相沉积CVD法沉积沉积反面薄膜导电层；

S04：印刷栅线及激光清边。

8.根据权利要求6或7所述的基于n型硅片的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述n型硅片采用制绒的n型硅片。