[发明专利]一种基于n型硅片的异质结太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开一种基于n型硅片的异质结太阳能电池，包括n型硅片、正面i层硅薄膜、正面p层硅薄膜、反面i层硅薄膜、反面n层硅薄膜、正面薄膜导电层和反面薄膜导电层，正面薄膜导电层和反面薄膜导电层中至少一面为氧化锌薄膜导电层，其中，n型硅片正面依次沉积正面i层硅薄膜、正面p层硅薄膜和正面薄膜导电层，其背面依次沉积反面i层硅薄膜、反面n层硅薄膜和反面薄膜导电层。本发明的异质结太阳能电池的制作方法为完全干式工艺，干净卫生，同时可以实施全自动化生产减省人手，且真空镀膜的制程成本也比较低，大大提高本发明的市场应用价值。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，更具体地，涉及一种基于n型硅片的异质结太阳能电池及其制作方法。

背景技术

异质结太阳能电池简称HIT，是一种高转换效率的硅片太阳能电池，这一种太阳能电池面对的问题是工艺太复杂，设备太昂贵，因此，大大限制了其商业应用价值。

在传统的制程中，硅片首先被化学处理，令表面钝化并生出凹凸不一的绒面，继而转往等离子加强化学气相沉积设备进行非晶硅p-i及i-n层的沉积形成薄膜，完成后再转往磁控溅射设备镀上ITO，完成后再印刷栅线及用激光清边，制程及设备相当复杂。

发明内容

本发明为克服上述现有技术所述的至少一种缺陷，提供一种基于n型硅片的异质结太阳能电池及其制作方法。

本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题。

本发明的首要目的是通过更改HIT的电池结构及优化工艺制程，为设备简化创造条件。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：

一种基于n型硅片的异质结太阳能电池，其特征在于，包括n型硅片、正面i层硅薄膜、正面p层硅薄膜、反面i层硅薄膜、反面n层硅薄膜、正面薄膜导电层和反面薄膜导电层，正面薄膜导电层和反面薄膜导电层中至少之一为氧化锌薄膜导电层，其中：

n型硅片正面通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积有正面i层硅薄膜，在正面i层硅薄膜上通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积有正面p层硅薄膜，在正面p层硅薄膜上通过化学气相沉积CVD法沉积有正面薄膜导电层，n型硅片背面通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积有反面i层硅薄膜，在反面i层硅薄膜上通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积n层硅薄膜，在n层硅薄膜上通过化学气相CVD法沉积有反面薄膜导电层，若正面薄膜导电层与反面薄膜导电层中的其中一层为非氧化锌薄膜导电层，则非氧化锌薄膜导电层的一层通过磁控溅射PVD法沉积；

上述方案中，由于氧化锌薄膜导电层在气相沉积过程中自动生成绒面，因此，省去硅片生成绒面的步骤，绒面的作用是增加吸光面积，若两面薄膜导电层都为氧化锌薄膜导电层，大大增加吸光面积，电池转化率更高。

优选地，化学气相沉积为低压力化学气相沉积LPCVD法，氧化锌薄膜导电层在低压力化学气相沉积LPCVD法沉积过程中自动生成绒面，增加吸光面积。

优选地，等离子体化学气相沉积PECVD法、化学气相沉积LPCVD法、磁控溅射PVD法均在真空环境下进行。

优选地，n型硅片采用制绒的n型硅片。

优选地，正面薄膜导电层与反面薄膜导电层均为透明薄膜导电层。

优选地，一种制作所述的基于n型硅片的异质结太阳能电池的制作方法，正面薄膜导电层和反面薄膜导电层中的其中一层为氧化锌薄膜导电层，另外一层为薄膜导电层时，包括以下步骤：

S10：用等离子气体对n型硅片进行表面钝化，并用氢离子轰击n型硅片；

S11：分别在n型硅片正反面上利用等离子体化学气相沉积PECVD法沉积正面i层硅薄膜、反面i层硅薄膜；