[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其中，从沿着喷射器的长度方向设置的多个气孔供给处理气体，对收容于处理容器内的基板进行预定的处理，该喷射器沿着所述处理容器的内壁面在上下方向上延伸，并能够以上下方向为旋转轴线旋转，在该基板处理方法中，

所述预定的处理包括多个步骤，

根据所述步骤使所述喷射器旋转而变更所述处理气体的供给方向。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

多个步骤包括如下步骤：

吸附步骤，在该吸附步骤中，向所述基板供给原料气体，使所述原料气体吸附于所述基板；以及

反应步骤，在该反应步骤中，向所述基板供给与所述原料气体发生反应的反应气体，使吸附到所述基板的所述原料气体和所述反应气体反应而形成反应生成物的层。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

多个步骤包括如下步骤：

成膜步骤，在该成膜步骤中，向所述基板供给成膜气体，在所述基板成膜预定的膜；以及

蚀刻步骤，在该蚀刻步骤中，向所述基板供给对所述膜进行蚀刻的蚀刻气体，对所述预定的膜进行蚀刻。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述喷射器能够供给多个种类的处理气体，

根据所述步骤变更所述处理气体的种类。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其中，

在所述步骤的中途使所述喷射器旋转而变更所述处理气体的供给方向。

6.一种基板处理装置，其中，从沿着喷射器的长度方向设置的多个气孔对收容于处理容器的基板供给处理气体，对所述基板进行预定的处理，该喷射器沿着所述处理容器的内壁面在上下方向上延伸，其中，

该基板处理装置具有：

旋转机构，其使所述喷射器以上下方向为旋转轴线旋转；以及

控制部，其对所述喷射器的动作进行控制，

所述预定的处理包括多个步骤，

所述控制部根据所述步骤使所述喷射器旋转而变更所述处理气体的供给方向。