[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

提供基底衬底、第一半导体层和第二半导体层依次叠置的叠层结构；所述第一半导体层的材料和所述第二半导体层的材料不同；

在所述叠层结构上形成鳍状结构，其中鳍状结构的底部低于第二半导体层的底面；

在所述鳍状结构两侧绕所述鳍状结构形成第一隔离部；

在第一隔离部上形成与所述鳍状结构相交的伪栅结构，并在伪栅结构的相对两侧分别形成与所述鳍状结构相交的第一栅结构和第二栅结构；

在第一栅结构、第二栅结构和伪栅结构的侧壁上分别形成第一栅侧墙、第二栅侧墙和虚设侧墙；

去除伪栅结构，以使第一半导体层在虚设侧墙内侧露出；

选择性刻蚀第一半导体层；

向虚设侧墙内侧第二半导体层下方由于第一半导体层的选择性刻蚀而形成的空间中填充电介质材料，形成第二隔离部的一部分；形成第二隔离部的一部分还包括：向第一栅侧墙内侧第二半导体层下方由于第一半导体层的选择性刻蚀而形成的空间中填充电介质材料，形成第三隔离部；以及向第二栅侧墙内侧第二半导体层下方由于第一半导体层的选择性刻蚀而形成的空间中填充电介质材料，形成第四隔离部；

基于虚设侧墙，对所述鳍状结构进行选择性刻蚀；以及

向虚设侧墙内侧填充电介质材料，以形成第二隔离部的另一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

第一栅结构、第二栅结构和伪栅结构是牺牲栅结构，

在去除伪栅结构时，该方法还包括去除第一栅结构和第二栅结构，

选择性刻蚀第一半导体层包括：对由于伪栅结构、第一栅结构和第二结构的去除露出的第一半导体层进行选择性刻蚀，

在形成第二隔离部的一部分、第三隔离部和第四隔离部之后，该方法包括在虚设侧墙以及第一栅侧墙和第二栅侧墙内侧的空间中形成替代栅结构，且去除虚设侧墙内侧的替代栅结构，以露出所述鳍状结构，以便对所述鳍状结构进行选择性刻蚀。

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：

在第一栅侧墙和/或第二栅侧墙的相对两侧，形成至少部分地嵌入于鳍状结构中的另外的半导体层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在选择性刻蚀第一半导体层时，所述选择性刻蚀在横向上停止于所述另外的半导体层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述另外的半导体层是叠层结构。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在对鳍状结构进行选择性刻蚀而在虚设侧墙内得到的沟槽的侧壁上形成绝缘侧墙。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在对鳍状结构进行选择性刻蚀之后且在形成绝缘侧墙之前，该方法还包括：去除第二隔离部的所述一部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，使第一半导体层在虚设侧墙内侧露出包括：

选择性刻蚀第一隔离部，使第一半导体层的侧壁至少部分地露出。