[发明专利]背面防静电耐磨硅系保护膜及其制备方法

权利要求书

1.一种背面防静电耐磨硅系保护膜，其特征在于，包括基膜层、硅油层和底膜，所述基膜层、硅油层和底膜层按照从上至下的顺序依次贴合，所述基膜层为25~150微米的透明膜，在所述基膜层的表面填充有白炭黑，所述底膜为25~50微米的透明膜，所述底膜贴合在所述硅油层的下面，所述底膜的外表面涂布贴合有防电涂布层。

2.根据权利要求1所述的背面防静电耐磨硅系保护膜，其特征在于，所述防静电涂布层的厚度为0.2~0.7微米。

3.根据权利要求2所述的背面防静电耐磨硅系保护膜，其特征在于，所述基膜层的材质为PET 树脂或/和聚乙烯(PE)。

4.根据权利要求3所述的背面防静电耐磨硅系保护膜，其特征在于，所述PET基膜层为透光率在95%以上，雾度为1.6～1.8%的PET膜体。

5.根据权利要求4所述的背面防静电耐磨硅系保护膜，其特征在于，所述防静电涂布层的固含量为1.2~1.5%。

6.一种背面防静电耐磨硅系保护膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

（1）配制防静电液溶剂溶液和涂布液；

（2）对基膜层进行电晕，使其正面和背面的表面重度电晕化；

（3）在经过步骤（2）重度电晕化的基膜层的背面，涂布步骤（1）所配制的防静电溶剂溶液，涂布完成后经120℃烘干收卷；

（4）将经过步骤（3）处理后的基膜层的正面涂布上涂布液以制作硅油层；

（5）将涂布后的基膜层进行150～170℃烘干，再在硅油层上压合底膜，再烘干收卷成型，即制得背面防静电耐磨硅系保护膜。

7.根据权利要求6所述的背面防静电耐磨硅系保护膜的制备方法，其特征在于，

所述步骤（1）中的防静电溶剂溶液为XE-05的异丙醇和水的混合溶液，其中涂完之后将异丙醇和水全挥发掉，留下的防静电涂布层固的含量为1.2~1.5%。

8.根据权利要求6所述的背面防静电耐磨硅系保护膜的制备方法，其特征在于，

所述步骤（1）中的涂布液的制作方法为：将40重量份甲苯和40重量份丁酮混合，制得溶剂；在溶剂中投入10重量份有机硅油XA-06搅拌15～30分钟，投入1重量份硅烷偶联剂，持续搅拌并投入4重量份辅料、2重量份的平流剂、2重量份固化剂、1重量份的氯铂酸催化剂，搅拌均匀，制得涂布液。

9.根据权利要求8所述的背面防静电耐磨硅系保护膜的制备方法，其特征在于，所述的有机硅油XA-06中含氢硅烷，其分子式为CH₃(SiHCH₃)m(SiOHCH₃)_nCH₃，分子量2500~3500。

10.根据权利要求8所述的背面防静电耐磨硅系保护膜的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为KH560；所述辅料为硅纳米级硅粉；所述平流剂为C1-C4的脂类化合物；所述固化剂为含乙烯基的金属离子配合物。