[发明专利]一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法在审
申请号: | 201811099189.9 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN108892513A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 马北越;张亚然;吴桦;任鑫明;苏畅;于敬雨;高陟;于景坤 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | C04B35/573 | 分类号: | C04B35/573;C04B35/626 |
代理公司: | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人: | 宁佳 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅粉体 硅基 石墨坩埚 感应炉 坩埚 制备 大尺寸石墨 天然石墨粉 熟料 混匀物料 固料 感应炉线圈 粉碎过筛 高温煅烧 平均粒径 生产效率 材料化 还原剂 接触处 锅盖 上端 配比 球磨 加热 覆盖 | ||
本发明的一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,包括步骤如下:步骤1,将硅基固料进行高温煅烧与粉碎过筛处理,制得硅基熟料;步骤2,按配比,硅基熟料∶还原剂=100∶(10~45),将二者混合,球磨得混匀物料;步骤3,(1)将小尺寸石墨坩埚置于大尺寸石墨坩埚内,并在两个坩埚接触处放满天然石墨粉;(2)将混匀物料置于小尺寸石墨坩埚中,并在小石墨坩埚锅盖上端覆盖充足的天然石墨粉;(3)将大尺寸石墨坩埚置于感应炉线圈内,在1300~1600℃温度下,加热2~5min制得利用感应炉制备碳化硅粉体。该方法实现了硅基固料的高效增值材料化利用,操作简单易行,反应迅速,大大提高了生产效率和产品质量,制得的碳化硅粉体平均粒径为0.5~1μm。
技术领域:
本发明属于工业非金属资源化利用及陶瓷粉体材料制备技术领域,具体涉及一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法。
背景技术:
SiC工程陶瓷因其具有耐高温、抗腐蚀、耐磨损等优异性能,在冶金、化工、航空航天等领域备受青睐。其优良性能的获得很大程度上依赖于烧结体显微结构的精细化。而烧结体的显微结构与原料颗粒的大小、形貌及分布状况等密切相关。如何获得高质量的粉体成为制备高性能SiC工程材料的关键。
目前,传统的SiC粉体制备方法都是固相法,并且其为工业生产SiC的主要方法,产量超过总产量的90%。固相法主要分为阿奇逊(Acheson)法、竖式炉法、高温转炉法、碳硅直接反应法等。固相法虽然在工业上广泛应用,但其粉体的质量有待提高,粒度与纯度不能满足高技术陶瓷的需求,且其制备周期长,效率较低。因此,如何快速制备出高质量的碳化硅粉体是一个重要的研究方向。
感应炉是一种利用电磁感应的原理加热或熔化物料的工业炉,因其具有加热迅速、温度高、操作控制方便等特点,使得物料在加热过程中免受污染,从而保证产品的质量。因此,利用感应炉可以快速制备出无污染的碳化硅粉体,既改善了碳化硅粉体的质量,又提高了生产效率,大大缩短了生产周期。
发明内容:
本发明的目的是克服上述现有技术存在的不足,提供一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法。该方法的主要工序如下:首先,将硅基固料进行预处理,以制得熟料;然后,根据硅基固料的组分掺入适量的还原剂,将混合料混合均匀;最后,制作石墨坩埚装置,将一定质量的混合料置于石墨坩埚内,于埋碳条件下经感应炉制得碳化硅粉体。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种利用感应炉制备碳化硅粉体的方法,按以下步骤进行:
步骤1:原料预处理
将硅基固料进行高温煅烧与粉碎过筛处理,制得硅基熟料;
步骤2:混料
按配比,硅基熟料∶还原剂=100∶(10~45),将二者混合,球磨得混匀物料;
步骤3:高温合成
(1)将小尺寸石墨坩埚置于大尺寸石墨坩埚内,并在两个坩埚接触处放满天然石墨粉;
(2)将混匀物料置于小尺寸石墨坩埚中,并在小石墨坩埚锅盖上端覆盖充足的天然石墨粉。
(3)将大尺寸石墨坩埚置于感应炉线圈内,加热制得利用感应炉制备碳化硅粉体;其中,所述的加热温度1300~1600℃,加热时间2~5min。
所述的步骤1中,所述的硅基固料为晶体硅切割废料、铁矿石尾矿、煤矸石、粉煤灰、粘土、蜡石、红柱石或硅线石中的一种或多种。
所述的步骤1中,煅烧与粉碎过筛处理用于去除工业硅基废渣中的杂质。
所述的步骤1中,所述的煅烧操作在煅烧炉中进行,煅烧温度为900℃,煅烧时间为5h,所述的煅烧炉为在无保护气氛下使用的箱式电阻丝炉、硅碳棒炉、硅钼棒炉和隧道窑中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学,未经东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811099189.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。