[发明专利]光阀式掩膜板有效

专利信息
申请号: 201811100602.9 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN109212891B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 沐俊应;李相烨 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G03F1/50 分类号: G03F1/50;G02F1/13;G02F1/1343
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 透射性 子电极 第一电极 第二电极 第二基板 第一基板 光阀 光阀介质 相对设置 掩膜板 像素设计 上表面 下表面 分辨率 像素 掩膜 电子产品
【权利要求书】:

1.一种光阀式掩膜板,其特征在于,所述光阀式掩膜板包括:

第一基板;

第二基板,与所述第一基板相对设置;

第一电极,设置于所述第一基板的下表面上,所述第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极;

第二电极,设置于所述第二基板的上表面上,所述第二电极与所述第一电极相对设置;以及

光阀介质,设置于所述第一电极与所述第二电极之间;

其中所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积与所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积不同。

2.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板,其特征在于,对所述至少一第一子电极和所述至少一第二子电极施加电压以使所述至少一第一子电极和所述至少一第二子电极具有透射性,对所述至少一第三子电极不施加电压以使所述至少一第三子电极不具有透射性。

3.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板,其特征在于,所述至少一第三子电极设置于所述至少一第一子电极和至少一第二子电极之间。

4.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板,其特征在于,所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积大于所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积。

5.根据权利要求4所述的光阀式掩膜板,其特征在于,所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积是所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积的2倍。

6.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板,其特征在于,所述至少一第一子电极的尺寸、所述至少一第二子电极的尺寸和所述至少一第三子电极的尺寸均相同。

7.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板,其特征在于,所述至少一第一子电极的数量为一个,所述至少一第二子电极的数量为二个,所述至少一第三子电极的数量为七个。

8.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板,其特征在于,所述第二电极为公共电极。

9.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板,其特征在于,所述光阀式掩膜板还包括第一偏振器件和第二偏振器件,所述第一偏振器件设置于所述第一基板的上表面上,所述第二偏振器件设置于所述第二基板的下表面上。

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