[发明专利]光阀式掩膜板有效
| 申请号： | 201811100602.9 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109212891B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 沐俊应;李相烨 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50;G02F1/13;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透射性 子电极 第一电极 第二电极 第二基板 第一基板 光阀 光阀介质 相对设置 掩膜板 像素设计 上表面 下表面 分辨率 像素 掩膜 电子产品 | ||
1.一种光阀式掩膜板，其特征在于，所述光阀式掩膜板包括：
第一基板；
第二基板，与所述第一基板相对设置；
第一电极，设置于所述第一基板的下表面上，所述第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极；
第二电极，设置于所述第二基板的上表面上，所述第二电极与所述第一电极相对设置；以及
光阀介质，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；
其中所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积与所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积不同。
2.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，对所述至少一第一子电极和所述至少一第二子电极施加电压以使所述至少一第一子电极和所述至少一第二子电极具有透射性，对所述至少一第三子电极不施加电压以使所述至少一第三子电极不具有透射性。
3.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，所述至少一第三子电极设置于所述至少一第一子电极和至少一第二子电极之间。
4.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积大于所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积。
5.根据权利要求4所述的光阀式掩膜板，其特征在于，所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积是所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积的2倍。
6.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，所述至少一第一子电极的尺寸、所述至少一第二子电极的尺寸和所述至少一第三子电极的尺寸均相同。
7.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，所述至少一第一子电极的数量为一个，所述至少一第二子电极的数量为二个，所述至少一第三子电极的数量为七个。
8.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，所述第二电极为公共电极。
9.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，所述光阀式掩膜板还包括第一偏振器件和第二偏振器件，所述第一偏振器件设置于所述第一基板的上表面上，所述第二偏振器件设置于所述第二基板的下表面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811100602.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：掩膜版、显示基板及其制作方法
- 下一篇：光刻方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
