[发明专利]光阀式掩膜板有效
申请号: | 201811100602.9 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN109212891B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 沐俊应;李相烨 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;G02F1/13;G02F1/1343 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透射性 子电极 第一电极 第二电极 第二基板 第一基板 光阀 光阀介质 相对设置 掩膜板 像素设计 上表面 下表面 分辨率 像素 掩膜 电子产品 | ||
本揭示提供了一种光阀式掩膜板。光阀式掩膜板包括第一基板、第二基板、第一电极、第二电极以及光阀介质。第二基板与第一基板相对设置。第一电极设置于第一基板的下表面上。第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极。第二电极设置于第二基板的上表面上。第二电极与第一电极相对设置。光阀介质设置于第一电极与第二电极之间。本揭示能通过具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极,调整像素尺寸及控制分辨率,适用于各种具有不同像素设计的电子产品。
【技术领域】
本揭示涉及掩膜曝光技术,特别涉及一种光阀式掩膜板。
【背景技术】
用于光刻技术的现有的掩膜板的开孔区域(子像素)分布、分辨率等均固定,对应不同设计、不同分辨率的产品需要多套掩膜板,因此现有的掩膜板的使用数量较多且无法调整像素尺寸及控制分辨率。
故,有需要提供一种光阀式掩膜板,以解决现有技术存在的问题,能调整像素尺寸及控制分辨率,适用于各种具有不同像素设计的电子产品。
【发明内容】
为解决上述技术问题,本揭示的一种目的在于提供一种一种光阀式掩膜板,其能通过具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极,调整像素尺寸及控制分辨率,适用于各种具有不同像素设计的电子产品。
为达成上述目的,本揭示提供一光阀式掩膜板包括第一基板、第二基板、第一电极、第二电极以及光阀介质。所述第二基板与所述第一基板相对设置。所述第一电极设置于所述第一基板的下表面上。所述第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极。所述第二电极设置于所述第二基板的上表面上。所述第二电极与所述第一电极相对设置。所述光阀介质设置于所述第一电极与所述第二电极之间。
于本揭示其中的一实施例中,对所述至少一第一子电极和所述至少一第二子电极施加电压以使所述至少一第一子电极和所述至少一第二子电极具有透射性,对所述至少一第三子电极不施加电压以使所述至少一第三子电极不具有透射性。
于本揭示其中的一实施例中,所述至少一第三子电极设置于所述至少一第一子电极和至少一第二子电极之间。
于本揭示其中的一实施例中,所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积与所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积不同。
于本揭示其中的一实施例中,所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积大于所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积。
于本揭示其中的一实施例中,所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积是所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积的2倍。
于本揭示其中的一实施例中,所述至少一第一子电极的尺寸、所述至少一第二子电极的尺寸和所述至少一第三子电极的尺寸均相同。
于本揭示其中的一实施例中,所述至少一第一子电极的数量为一个,所述至少一第二子电极的数量为二个,所述至少一第三子电极的数量为七个。
于本揭示其中的一实施例中,所述第二电极为公共电极。
于本揭示其中的一实施例中,所述光阀式掩膜板还包括第一偏振器件和第二偏振器件,所述第一偏振器件设置于所述第一基板的上表面上,所述第二偏振器件设置于所述第二基板的下表面上。
由于本揭示的实施例中的光阀式掩膜板,通过具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极,调整像素尺寸及控制分辨率,适用于各种具有不同像素设计的电子产品。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
【附图说明】
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备