[发明专利]双极性接面型晶体管、其形成方法以及相关的集成电路

权利要求书

1.一种双极性接面型晶体管，包括：

一集极区，设置在一半导体基板内；

一基极区，设置在上述半导体基板内，并且位在上述集极区内；

一射极区，设置在上述半导体基板内，并且位在上述基极区内；

一介电层，设置在上述半导体基板的上表面上，并且将上述半导体基板的上述上表面与最下方的一金属内部互连层分隔开；

多个第一凹陷防止柱状物，设置在上述射极区上以及上述介电层内，其中上述第一凹陷防止柱状物的每一者包括直接接触上述射极区的一栅极氧化物层；

多个接触窗，设置在上述射极区上，并且在上述第一凹陷防止柱状物之间；以及

一凹陷防止结构，设置在上述射极区上，并且位在上述介电层内，其中上述凹陷防止结构为一连续且封闭的环形结构，其中上述第一凹陷防止柱状物和上述接触窗被上述连续且封闭的环形结构包围。

2.如权利要求1所述的双极性接面型晶体管，还包括：

一第一隔离结构，包括设置在上述半导体基板内并且位在上述基极区与上述集极区之间的介电材料；以及

多个第二凹陷防止柱状物，设置在上述第一隔离结构上，并且在上述介电层内，其中上述第二凹陷防止柱状物的每一者包括导电且电性浮接的冗余栅极。

3.如权利要求1所述的双极性接面型晶体管，还包括：

一第二隔离结构，包括设置在上述半导体基板内并且位在上述集极区与一隔离井之间的介电材料，其中上述隔离井设置在上述半导体基板内，并且围绕上述集极区；以及

多个第三凹陷防止柱状物，设置在上述第二隔离结构上，并且位在上述介电层内，其中上述第三凹陷防止柱状物的每一者包括导电且电性浮接的冗余栅极。

4.如权利要求3所述的双极性接面型晶体管，还包括：

一第三隔离结构，包括设置在上述半导体基板内，并且围绕上述隔离井的介电材料；以及

多个第四凹陷防止柱状物，设置在上述第三隔离结构上，并且在上述介电层内，其中上述第四凹陷防止柱状物的每一者包括导电且电性浮接的冗余栅极。

5.如权利要求1所述的双极性接面型晶体管，其中上述第一凹陷防止柱状物的每一者包括导电且电性浮接的冗余栅极。

6.如权利要求5所述的双极性接面型晶体管，其中栅极氧化物层将上述冗余栅极与上述半导体基板的上表面分隔开。

7.如权利要求6所述的双极性接面型晶体管，还包括：

一侧壁间隔物，设置在上述第一凹陷防止柱状物的每一个柱状物的侧壁上。

8.如权利要求7所述的双极性接面型晶体管，其中上述冗余栅极包括一完全硅化材料。

9.一种双极性接面型晶体管的形成方法，包括：

在一半导体基板中形成一集极区；

在上述半导体基板中形成一基极区，并且上述基极区设置在上述集极区内；

在上述半导体基板中形成一射极区，并且上述射极区设置在上述基极区内；

在上述半导体基板的上表面上形成一金属前介电层；

在上述射极区上形成多个栅极氧化物层，其中上述栅极氧化物层直接接触上述射极区；

在上述栅极氧化物层上形成多个冗余栅极，并且上述冗余栅极是位在上述金属前介电层内；

在上述射极区上形成环形栅极，并且上述环形栅极是位在上述金属前介电层内；

使上述冗余栅极和上述环形栅极与一过渡金属反应，从而形成多个凹陷防止柱状物和一凹陷防止结构；

对上述金属前介电层执行一化学机械研磨工艺；以及

形成延伸穿过上述金属前介电层的多个接触窗，上述接触窗设置在上述射极区上，并且在上述凹陷防止柱状物之间，其中上述凹陷防止结构为一连续且封闭的环形结构，其中上述凹陷防止柱状物和上述接触窗被上述连续且封闭的环形结构包围。