[发明专利]一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法在审
申请号: | 201811105613.6 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109037259A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 胡津津;王之奇 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像传感芯片 封装结构 缓冲层 密闭空腔 外界接触 影像感应 封装 密闭空间 水分通过 吸水性能 封装层 基底 申请 | ||
1.一种影像传感芯片的封装结构,其特征在于,包括:
基底;
位于所述基底表面的缓冲层;
贯穿所述缓冲层的第一凹槽,所述第一凹槽暴露出部分所述基底表面;
覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层;
贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽,所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面;所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘;
倒装于所述基底上的影像传感芯片,所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘,所述第一焊盘和所述金属层电连接,所述影像感应区朝向所述第二凹槽;
至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层。
2.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述缓冲层和所述金属层在所述基底上的正投影部分或全部覆盖所述基底的布线区表面。
3.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金属层的塑封层。
4.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金属层和所述基底裸露表面的塑封层。
5.根据权利要求3或4任一项所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,还包括贯穿所述塑封层的连接端子,所述连接端子与所述金属层电性连接。
6.根据权利要求5所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述连接端子的高度大于所述塑封层的高度。
7.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述封装层为覆盖所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像传感芯片侧壁的点胶层。
8.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,还包括:设置于所述金属层上的连接端子,所述连接端子的高度大于所述影像传感芯片与所述金属层之间的垂直距离。
9.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,还包括:位于所述第一焊盘与所述金属层之间的金属凸块,所述金属凸块与所述金属层和所述第一焊盘均电性连接。
10.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述第一凹槽与所述第二凹槽之间设置有部分所述缓冲层。
11.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构,其特征在于,所述第一凹槽与所述第二凹槽贯通。
12.一种影像传感芯片的封装方法,其特征在于,包括:
提供一基底,所述基底包括多个功能区和位于相邻所述功能区之间的切割道,所述功能区包括透光区和位于所述透光区两侧的布线区;
形成至少部分覆盖所述布线区的缓冲层,并对所述缓冲层进行处理,形成贯穿所述缓冲层,且暴露出部分所述基底表面的第一凹槽;
形成覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层;
对所述金属层及所述缓冲层进行处理,以形成贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽,所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面;所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘;
提供影像传感芯片,所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘,所述第一焊盘和所述金属层电连接,并将所述影像传感芯片倒装在所述功能区上,以使所述影像感应区朝向所述第二凹槽;
形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层;
沿所述切割道对所述基底进行切割。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的