[发明专利]一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法在审
申请号: | 201811105613.6 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109037259A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 胡津津;王之奇 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像传感芯片 封装结构 缓冲层 密闭空腔 外界接触 影像感应 封装 密闭空间 水分通过 吸水性能 封装层 基底 申请 | ||
本申请公开了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法,其中,所述影像传感芯片的封装结构通过封装层、基底和影像传感芯片构成了一个用于设置影像感应区的密闭空腔,并且通过在缓冲层中设置第一凹槽的方式,避免与外界接触的缓冲层与密闭空腔的直接接触,而由于作为缓冲层的材料的吸水性能一般较强,将与外界接触的缓冲层与密闭空腔隔绝,可以避免外界水分通过缓冲层进入影像传感芯片的封装结构的密闭空间,从而解决了外界水分容易通过影像传感芯片的封装结构进入密闭空腔中,而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响的问题。
技术领域
本申请涉及半导体封装技术领域,更具体地说,涉及一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法。
背景技术
影像传感芯片是一种能够感受外部光线并将其转换成电信号的传感芯片。在影像传感芯片制作完成后,再通过对影像传感芯片进行一系列的封装工艺,从而形成封装好的影像传感芯片,以用于诸如数码相机、数码摄像机等各种电子设备。
在影像传感芯片的封装结构中,需要为影像传感芯片的影像感应区提供一个密闭空腔,并为该密闭空腔提供良好的放水防潮特性,以使影像传感芯片的影像感应区免受外界水汽的侵蚀。但在现有技术中的封装结构中,外界的水分容易通过封装结构进入该密闭空腔中,而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请提供了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法,以解决外界水分容易通过影像传感芯片的封装结构进入密闭空腔中而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响的问题。
为实现上述技术目的,本申请实施例提供了如下技术方案:
一种影像传感芯片的封装结构,包括:
基底;
位于所述基底表面的缓冲层;
贯穿所述缓冲层的第一凹槽,所述第一凹槽暴露出部分所述基底表面;
覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层;
贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽,所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面;所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘;
倒装于所述基底上的影像传感芯片,所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘,所述第一焊盘和所述金属层电连接,所述影像感应区朝向所述第二凹槽;
至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层。
可选的,所述缓冲层和所述金属层在所述基底上的正投影部分或全部覆盖所述基底的布线区表面。
可选的,所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金属层的塑封层。
可选的,所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金属层和所述基底裸露表面的塑封层。
可选的,还包括贯穿所述塑封层的连接端子,所述连接端子与所述金属层电性连接。
可选的,所述连接端子的高度大于所述塑封层的高度。
可选的,所述封装层为覆盖所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像传感芯片侧壁的点胶层。
可选的,还包括:设置于所述金属层上的连接端子,所述连接端子的高度大于所述影像传感芯片与所述金属层之间的垂直距离。
可选的,还包括:位于所述第一焊盘与所述金属层之间的金属凸块,所述金属凸块与所述金属层和所述第一焊盘均电性连接。
可选的,所述第一凹槽与所述第二凹槽之间设置有部分所述缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的