[发明专利]成膜掩膜有效
申请号: | 201811106536.6 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN109112476B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;王培超 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成膜掩膜 | ||
本发明提供成膜掩膜的制造方法,向树脂制的膜片(20)照射激光(L)而形成俯视下呈多边形的开口图案(4),通过将使用光束整形用掩膜(10)进行整形的激光(L)向上述膜片(20)照射,来形成具有以开口从上述膜片(20)的与上述激光(L)的照射面相反的一侧朝向上述照射面侧扩大的方式倾斜的至少一对对置侧壁(4a)的开口图案(4),其中光束整形用掩膜(10)具有供上述激光透过的透光窗(18),且在该透光窗(18)的外侧使该透光窗(18)的至少一对边的侧方区域的透光率,随着从上述透光窗的边缘部朝向侧方逐渐减小。
本申请是国家阶段进入日为2016年6月17日、申请号为201480069390.6、发明名称为“成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及向树脂制的膜片照射激光来形成开口图案的成膜掩膜的制造方法,特别是涉及能够使开口图案的侧壁的倾斜角度的控制变得容易的成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。
背景技术
以往的成膜掩膜具有与制作成膜的图案对应的至少具有一个开口图案的厚度为1μm以上且50μm以下的掩膜层,在该掩膜层上不堵塞该掩膜层所具有的开口图案地具有磁性体(例如,参照专利文献1)。而且,上述掩膜层所具有的开口图案,优选为开口随着朝向磁性体侧的表面而变大的锥形状。
专利文献1:日本特开2009-249706号公报
但是,在这样的以往的成膜掩膜中,开口图案的形成例如是将剖面形状被整形为与开口图案相似的形状的激光照射到膜片来进行,所以难以控制开口图案的侧壁的倾斜角度。
特别是,在俯视下呈矩形状的开口图案的两对对置侧壁,难以使一方的对置侧壁与另一方的对置侧壁的倾斜角度不同。因此,若使用通过以往的方法制造的成膜掩膜,而一边将基板向一个方向搬运一边成膜,则所形成的薄膜的与搬运方向交叉的方向的膜厚分布,由于该方向的开口图案的边缘部所引起的阴影区(shadow)的影响而变得不均匀这一问题。
发明内容
因此,本发明处理这样的问题点,目的在于提供能够容易地进行开口图案的侧壁的倾斜角度的控制的成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。
为了实现上述目的,本发明的成膜掩膜的制造方法向树脂制的膜片照射激光而形成俯视下呈多边形的开口图案,通过将使用光束整形用掩膜进行整形的激光照射于上述膜片,来形成具有以开口从上述膜片的与上述激光的照射面相反的一侧朝向上述照射面侧扩大的方式倾斜的至少一对对置侧壁的开口图案,其中,上述光束整形用掩膜具有供上述激光透过的透光窗,且在该透光窗的外侧使该透光窗的至少一对边的侧方区域的透光率随着从上述透光窗的边缘部朝向侧方逐渐减少。
另外,本发明的成膜掩膜是用于经由形成在片状的基材的开口图案在基板上成膜的成膜掩膜,上述开口图案具有开口从上述基材与成膜源相反的一侧朝向上述成膜源侧扩大的多对对置侧壁,这些多对对置侧壁的倾斜角度至少在上述成膜源侧不同。
根据本发明,能够容易地控制膜片被激光加工的开口图案的以开口朝激光的照射侧扩大的方式倾斜的对置侧壁的倾斜角度。因此,也能够容易地制造开口图案的开口具有朝向成膜源侧扩大的多对对置侧壁,这些多对对置侧壁的倾斜角度至少在成膜源侧不同的成膜掩膜。因此,能够抑制开口图案的侧壁成为成膜的阴影区,能够形成膜厚均匀的薄膜。
附图说明
图1是表示本发明的成膜掩膜的一实施方式的图,(a)是俯视图,(b)是(a)的O-O线剖面向视图,(c)是(a)的P-P线剖面向视图。
图2是表示用于形成本发明的成膜掩膜的开口图案的激光加工装置的一个构成例的主视图。
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